DMN2004DMK-7 Альтернативные части: DMG6968UDM-7

DMN2004DMK-7Diodes Incorporated

В наличии: 144692

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
27.824066 ₽
27.88 ₽
10
26.249135 ₽
262.50 ₽
100
24.763324 ₽
2,476.37 ₽
500
23.361662 ₽
11,680.77 ₽
1000
22.039245 ₽
22,039.29 ₽

Цена за единицу: 27.824066 ₽

Итоговая цена: 27.88 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN2004DMK-7	иDMG6968UDM-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26
Срок поставки от производителя	16 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-6	SOT-23-6
Количество контактов	6	6
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Количество элементов	2	2
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2011	2009
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Ток постоянного напряжения - номинальный	20V	-
Максимальная потеря мощности	225mW	850mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	540mA	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	DMN2004DMK	DMG6968UDM
Число контактов	6	6
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	225mW	850mW
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Применение транзистора	SWITCHING	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	550m Ω @ 540mA, 4.5V	24m Ω @ 6.5A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1V @ 250μA	900mV @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	150pF @ 16V	143pF @ 10V
Непрерывный ток стока (ID)	540mA	6.5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	8V	8V
Максимальный сливовой ток (ID)	0.54A	-
Сопротивление открытого канала-макс	0.55Ohm	-
Напряжение пробоя стока к истоку	20V	20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Высота	1.1mm	1.1mm
Длина	3mm	3mm
Ширина	1.6mm	1.6mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Время отключения	-	562 ns
Сопротивление	-	24mOhm
Время задержки включения	-	53 ns
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	-	8.8nC @ 4.5V
Время подъема	-	78ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	20V
Время падения (тип)	-	234 ns

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMG9926UDM-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	SOT-23-6	MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26	Для сравнения
DMG6968UDM-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	SOT-23-6	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26	Для сравнения
DMC2700UDM-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	SOT-23-6	Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R	Для сравнения