DMC3032LSD-13 Альтернативные части: IRF9410TRPBF ,DMC3028LSD-13

DMC3032LSD-13Diodes Incorporated

В наличии: 2889

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
43.175275 ₽
43.13 ₽
10
40.731360 ₽
407.28 ₽
100
38.425797 ₽
3,842.58 ₽
500
36.250824 ₽
18,125.41 ₽
1000
34.198846 ₽
34,198.90 ₽

Цена за единицу: 43.175275 ₽

Итоговая цена: 43.13 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMC3032LSD-13	иIRF9410TRPBF	иDMC3028LSD-13
Производитель:	Diodes Incorporated	Infineon Technologies	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP	MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC	MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
Срок поставки от производителя	15 Weeks	12 Weeks	17 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Вес	73.992255mg	-	73.992255mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	8.1A 7A	7A Ta	6.6A 6.8A
Количество элементов	2	1	2
Время отключения	50.1 ns	23 ns	44 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Digi-Reel®
Опубликовано	2010	2004	2009
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	-	yes
Состояние изделия	Active	Not For New Designs	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE	-
Максимальная потеря мощности	2.5W	-	1.8W
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-	40
Число контактов	8	-	8
Каналов количество	2	-	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения	10.1 ns	7.3 ns	3.5 ns
Тип ТРВ	N and P-Channel	N-Channel	N and P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	32m Ω @ 7A, 10V	30m Ω @ 7A, 10V	28m Ω @ 6A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250μA	1V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	404.5pF @ 15V	550pF @ 25V	472pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	9.2nC @ 10V	27nC @ 10V	10.5nC @ 10V
Время подъема	6.5ns	7.3ns	4.9ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-	-
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	-	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Время падения (тип)	22.2 ns	17 ns	28 ns
Непрерывный ток стока (ID)	7A	7A	7.4A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	-30V	30V	30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	-	Logic Level Gate
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	-	4.5V 10V	-
Максимальная мощность рассеяния	-	2.5W Ta	-
Серия	-	HEXFET®	-
Сопротивление	-	30mOhm	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V	-
Моментальный ток	-	7A	-
Интервал строк	-	6.3 mm	-
Конфигурация элемента	-	Single	-
Распад мощности	-	2.5W	2.1W
Угол настройки (макс.)	-	±20V	-
Пороговое напряжение	-	1V	-
Двухпитание напряжения	-	30V	-
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	70 mJ	-
Номинальное Vgs	-	1 V	-
Высота	-	1.4986mm	1.5mm
Длина	-	4.9784mm	5mm
Ширина	-	3.9878mm	4mm
Без свинца	-	Contains Lead, Lead Free	Lead Free
Основной номер части	-	-	DMC3028LSD
Максимальный сливовой ток (ID)	-	-	5.5A

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN3024LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO	Для сравнения
IRF9410TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC	Для сравнения
DMC3028LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO	Для сравнения
DMN3024LSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO	Для сравнения