DMC3032LSD-13Diodes Incorporated
В наличии: 2889
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
43.175275 ₽
43.13 ₽
10
40.731360 ₽
407.28 ₽
100
38.425797 ₽
3,842.58 ₽
500
36.250824 ₽
18,125.41 ₽
1000
34.198846 ₽
34,198.90 ₽
Цена за единицу: 43.175275 ₽
Итоговая цена: 43.13 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 8.1A 7A | 7A Ta |
Количество элементов | 2 | 1 |
Время отключения | 50.1 ns | 23 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2010 | 2004 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE |
Максимальная потеря мощности | 2.5W | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - |
Число контактов | 8 | - |
Каналов количество | 2 | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 10.1 ns | 7.3 ns |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 32m Ω @ 7A, 10V | 30m Ω @ 7A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.1V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 404.5pF @ 15V | 550pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 9.2nC @ 10V | 27nC @ 10V |
Время подъема | 6.5ns | 7.3ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - |
Время падения (тип) | 22.2 ns | 17 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 7A | 7A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | - | 2.5W Ta |
Серия | - | HEXFET® |
Сопротивление | - | 30mOhm |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 30V |
Моментальный ток | - | 7A |
Интервал строк | - | 6.3 mm |
Конфигурация элемента | - | Single |
Распад мощности | - | 2.5W |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V |
Пороговое напряжение | - | 1V |
Двухпитание напряжения | - | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 70 mJ |
Номинальное Vgs | - | 1 V |
Высота | - | 1.4986mm |
Длина | - | 4.9784mm |
Ширина | - | 3.9878mm |
Без свинца | - | Contains Lead, Lead Free |