DMC3032LSD-13 Альтернативные части: DMC3028LSD-13

DMC3032LSD-13Diodes Incorporated

В наличии: 2889

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
43.175275 ₽
43.13 ₽
10
40.731360 ₽
407.28 ₽
100
38.425797 ₽
3,842.58 ₽
500
36.250824 ₽
18,125.41 ₽
1000
34.198846 ₽
34,198.90 ₽

Цена за единицу: 43.175275 ₽

Итоговая цена: 43.13 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMC3032LSD-13	иDMC3028LSD-13
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP	MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
Срок поставки от производителя	15 Weeks	17 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	73.992255mg	73.992255mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	8.1A 7A	6.6A 6.8A
Количество элементов	2	2
Время отключения	50.1 ns	44 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Digi-Reel®
Опубликовано	2010	2009
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-
Максимальная потеря мощности	2.5W	1.8W
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Число контактов	8	8
Каналов количество	2	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения	10.1 ns	3.5 ns
Тип ТРВ	N and P-Channel	N and P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	32m Ω @ 7A, 10V	28m Ω @ 6A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	404.5pF @ 15V	472pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	9.2nC @ 10V	10.5nC @ 10V
Время подъема	6.5ns	4.9ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Время падения (тип)	22.2 ns	28 ns
Непрерывный ток стока (ID)	7A	7.4A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	-30V	30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Основной номер части	-	DMC3028LSD
Распад мощности	-	2.1W
Максимальный сливовой ток (ID)	-	5.5A
Высота	-	1.5mm
Длина	-	5mm
Ширина	-	4mm
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN3024LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO	Для сравнения
IRF9410TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC	Для сравнения
DMC3028LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO	Для сравнения
DMN3024LSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO	Для сравнения