Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMC3032LSD-13 Альтернативные части: DMN3024LSD-13 ,IRF9410TRPBF
DMC3032LSD-13Diodes Incorporated
В наличии: 2889
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
43.175275 ₽
43.13 ₽
10
40.731360 ₽
407.28 ₽
100
38.425797 ₽
3,842.58 ₽
500
36.250824 ₽
18,125.41 ₽
1000
34.198846 ₽
34,198.90 ₽
Цена за единицу: 43.175275 ₽
Итоговая цена: 43.13 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP | MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 17 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | 73.992255mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 8.1A 7A | 6.8A | 7A Ta |
Количество элементов | 2 | 2 | 1 |
Время отключения | 50.1 ns | 16 ns | 23 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Digi-Reel® | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2010 | 2009 | 2004 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE |
Максимальная потеря мощности | 2.5W | 1.8W | - |
Положение терминала | DUAL | - | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | - |
Число контактов | 8 | 8 | - |
Каналов количество | 2 | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 10.1 ns | 2.9 ns | 7.3 ns |
Тип ТРВ | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 32m Ω @ 7A, 10V | 24m Ω @ 7A, 10V | 30m Ω @ 7A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.1V @ 250μA | 3V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 404.5pF @ 15V | 608pF @ 15V | 550pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 9.2nC @ 10V | 12.9nC @ 10V | 27nC @ 10V |
Время подъема | 6.5ns | 3.3ns | 7.3ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - | - |
Время падения (тип) | 22.2 ns | 8 ns | 17 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 7A | 7.2A | 7A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | 30V | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Основной номер части | - | DMN3024LSD | - |
Распад мощности | - | 2W | 2.5W |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 5.7A | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | - | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | - | - | 2.5W Ta |
Серия | - | - | HEXFET® |
Сопротивление | - | - | 30mOhm |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | 30V |
Моментальный ток | - | - | 7A |
Интервал строк | - | - | 6.3 mm |
Конфигурация элемента | - | - | Single |
Угол настройки (макс.) | - | - | ±20V |
Пороговое напряжение | - | - | 1V |
Двухпитание напряжения | - | - | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | - | 70 mJ |
Номинальное Vgs | - | - | 1 V |
Высота | - | - | 1.4986mm |
Длина | - | - | 4.9784mm |
Ширина | - | - | 3.9878mm |
Без свинца | - | - | Contains Lead, Lead Free |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN3024LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO | Для сравнения |
 | IRF9410TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC | Для сравнения |
| DMC3028LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO | Для сравнения |
| DMN3024LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO | Для сравнения |