Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMC3028LSDX-13 Альтернативные части: IRF9410TRPBF ,DMN3025LSS-13
DMC3028LSDX-13Diodes Incorporated
В наличии: 2295
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
94.985604 ₽
94.92 ₽
10
89.609038 ₽
896.15 ₽
100
84.536799 ₽
8,453.71 ₽
500
79.751731 ₽
39,875.82 ₽
1000
75.237527 ₽
75,237.50 ₽
Цена за единицу: 94.985604 ₽
Итоговая цена: 94.92 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC | MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO |
Срок поставки от производителя | 23 Weeks | 12 Weeks | 7 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | - | 73.992255mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 5.5A 5.8A | 7A Ta | 7.2A Ta |
Количество элементов | 2 | 1 | - |
Время отключения | 60.5 ns | 23 ns | 22.3 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2015 | 2004 | 2013 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE | - |
Максимальная потеря мощности | 1.2W | - | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | - | 30 |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | - |
Каналов количество | 2 | - | 1 |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
Время задержки включения | 9.7 ns | 7.3 ns | 3.3 ns |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 27m Ω @ 6A, 10V | 30m Ω @ 7A, 10V | 20m Ω @ 10A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 1V @ 250μA | 2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 641pF @ 15V | 550pF @ 25V | 641pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 13.2nC @ 10V | 27nC @ 10V | 13.2nC @ 10V |
Время подъема | 17.1ns | 7.3ns | 4.4ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - | - |
Время падения (тип) | 40.4 ns | 17 ns | 5.3 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 5.8A | 7A | 7.2A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 5.5A | - | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 30V | - | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | - |
Высота | 1.5mm | 1.4986mm | 1.5mm |
Длина | 4.95mm | 4.9784mm | 4.95mm |
Ширина | 3.95mm | 3.9878mm | 3.95mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | - | 2.5W Ta | 1.4W Ta |
Серия | - | HEXFET® | - |
Сопротивление | - | 30mOhm | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 30V | - |
Моментальный ток | - | 7A | - |
Интервал строк | - | 6.3 mm | - |
Конфигурация элемента | - | Single | - |
Распад мощности | - | 2.5W | - |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V | ±20V |
Пороговое напряжение | - | 1V | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 30V | 30V |
Двухпитание напряжения | - | 30V | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 70 mJ | - |
Номинальное Vgs | - | 1 V | - |
Без свинца | - | Contains Lead, Lead Free | Lead Free |
Конфигурация | - | - | Single |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN3024LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO | Для сравнения |
| DMC3025LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO | Для сравнения |
 | IRF9410TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC | Для сравнения |
| DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO | Для сравнения |