DMC3028LSDX-13 Альтернативные части: DMC3025LSD-13

DMC3028LSDX-13Diodes Incorporated

В наличии: 2295

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
94.985604 ₽
94.92 ₽
10
89.609038 ₽
896.15 ₽
100
84.536799 ₽
8,453.71 ₽
500
79.751731 ₽
39,875.82 ₽
1000
75.237527 ₽
75,237.50 ₽

Цена за единицу: 94.985604 ₽

Итоговая цена: 94.92 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMC3028LSDX-13	иDMC3025LSD-13
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Срок поставки от производителя	23 Weeks	17 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	73.992255mg	73.992255mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	5.5A 5.8A	6.5A 4.2A
Количество элементов	2	2
Время отключения	60.5 ns	28.4 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2015	2012
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	1.2W	1.2W
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	30
Нормативная Марка	AEC-Q101	AEC-Q101
Каналов количество	2	2
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения	9.7 ns	6.8 ns
Тип ТРВ	N and P-Channel	N and P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	27m Ω @ 6A, 10V	20m Ω @ 7.4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	641pF @ 15V	501pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	13.2nC @ 10V	9.8nC @ 10V
Время подъема	17.1ns	4.9ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	30V
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Время падения (тип)	40.4 ns	12.4 ns
Непрерывный ток стока (ID)	5.8A	4.2A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	5.5A	5.3A
Минимальная напряжённость разрушения	30V	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Высота	1.5mm	1.5mm
Длина	4.95mm	4.95mm
Ширина	3.95mm	3.95mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Основной номер части	-	DMC3025
Напряжение пробоя стока к истоку	-	-30V
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN3024LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO	Для сравнения
DMC3025LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO	Для сравнения
IRF9410TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC	Для сравнения
DMN3025LSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO	Для сравнения