DMC3028LSDX-13 Альтернативные части: IRF9410TRPBF

DMC3028LSDX-13Diodes Incorporated

В наличии: 2295

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
94.985604 ₽
94.92 ₽
10
89.609038 ₽
896.15 ₽
100
84.536799 ₽
8,453.71 ₽
500
79.751731 ₽
39,875.82 ₽
1000
75.237527 ₽
75,237.50 ₽

Цена за единицу: 94.985604 ₽

Итоговая цена: 94.92 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMC3028LSDX-13	иIRF9410TRPBF
Производитель:	Diodes Incorporated	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO	MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	23 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	73.992255mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	5.5A 5.8A	7A Ta
Количество элементов	2	1
Время отключения	60.5 ns	23 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2015	2004
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
Максимальная потеря мощности	1.2W	-
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	-
Нормативная Марка	AEC-Q101	-
Каналов количество	2	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения	9.7 ns	7.3 ns
Тип ТРВ	N and P-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	27m Ω @ 6A, 10V	30m Ω @ 7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	641pF @ 15V	550pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	13.2nC @ 10V	27nC @ 10V
Время подъема	17.1ns	7.3ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	-
Время падения (тип)	40.4 ns	17 ns
Непрерывный ток стока (ID)	5.8A	7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	5.5A	-
Минимальная напряжённость разрушения	30V	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	-
Высота	1.5mm	1.4986mm
Длина	4.95mm	4.9784mm
Ширина	3.95mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	-	4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния	-	2.5W Ta
Серия	-	HEXFET®
Сопротивление	-	30mOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V
Моментальный ток	-	7A
Интервал строк	-	6.3 mm
Конфигурация элемента	-	Single
Распад мощности	-	2.5W
Угол настройки (макс.)	-	±20V
Пороговое напряжение	-	1V
Напряжение пробоя стока к истоку	-	30V
Двухпитание напряжения	-	30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	70 mJ
Номинальное Vgs	-	1 V
Без свинца	-	Contains Lead, Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN3024LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO	Для сравнения
DMC3025LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO	Для сравнения
IRF9410TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC	Для сравнения
DMN3025LSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO	Для сравнения