Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMC3028LSDX-13 Альтернативные части: DMN3025LSS-13 ,DMN3024LSD-13
DMC3028LSDX-13Diodes Incorporated
В наличии: 2295
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
94.985604 ₽
94.92 ₽
10
89.609038 ₽
896.15 ₽
100
84.536799 ₽
8,453.71 ₽
500
79.751731 ₽
39,875.82 ₽
1000
75.237527 ₽
75,237.50 ₽
Цена за единицу: 94.985604 ₽
Итоговая цена: 94.92 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO | MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO | MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO |
Срок поставки от производителя | 23 Weeks | 7 Weeks | 17 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | 73.992255mg | 73.992255mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 5.5A 5.8A | 7.2A Ta | 6.8A |
Количество элементов | 2 | - | 2 |
Время отключения | 60.5 ns | 22.3 ns | 16 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Digi-Reel® |
Опубликовано | 2015 | 2013 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Discontinued | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | - |
Максимальная потеря мощности | 1.2W | - | 1.8W |
Положение терминала | DUAL | - | - |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 | 40 |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | - |
Каналов количество | 2 | 1 | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 9.7 ns | 3.3 ns | 2.9 ns |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 27m Ω @ 6A, 10V | 20m Ω @ 10A, 10V | 24m Ω @ 7A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 641pF @ 15V | 641pF @ 15V | 608pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 13.2nC @ 10V | 13.2nC @ 10V | 12.9nC @ 10V |
Время подъема | 17.1ns | 4.4ns | 3.3ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - | - |
Время падения (тип) | 40.4 ns | 5.3 ns | 8 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 5.8A | 7.2A | 7.2A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 5.5A | - | 5.7A |
Минимальная напряжённость разрушения | 30V | - | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | - |
Длина | 4.95mm | 4.95mm | - |
Ширина | 3.95mm | 3.95mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V 10V | - |
Максимальная мощность рассеяния | - | 1.4W Ta | - |
Конфигурация | - | Single | - |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 30V | 30V |
Без свинца | - | Lead Free | - |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Основной номер части | - | - | DMN3024LSD |
Число контактов | - | - | 8 |
Распад мощности | - | - | 2W |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN3024LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO | Для сравнения |
| DMC3025LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO | Для сравнения |
 | IRF9410TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC | Для сравнения |
| DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO | Для сравнения |