DMC3028LSDX-13 Альтернативные части: DMN3024LSD-13 ,DMC3025LSD-13

DMC3028LSDX-13Diodes Incorporated

В наличии: 2295

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
94.985604 ₽
94.92 ₽
10
89.609038 ₽
896.15 ₽
100
84.536799 ₽
8,453.71 ₽
500
79.751731 ₽
39,875.82 ₽
1000
75.237527 ₽
75,237.50 ₽

Цена за единицу: 94.985604 ₽

Итоговая цена: 94.92 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMC3028LSDX-13	иDMN3024LSD-13	иDMC3025LSD-13
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO	MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Срок поставки от производителя	23 Weeks	17 Weeks	17 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Вес	73.992255mg	73.992255mg	73.992255mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	5.5A 5.8A	6.8A	6.5A 4.2A
Количество элементов	2	2	2
Время отключения	60.5 ns	16 ns	28.4 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Digi-Reel®	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2015	2009	2012
Код JESD-609	e3	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	1.2W	1.8W	1.2W
Положение терминала	DUAL	-	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	40	30
Нормативная Марка	AEC-Q101	-	AEC-Q101
Каналов количество	2	-	2
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения	9.7 ns	2.9 ns	6.8 ns
Тип ТРВ	N and P-Channel	2 N-Channel (Dual)	N and P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	27m Ω @ 6A, 10V	24m Ω @ 7A, 10V	20m Ω @ 7.4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	3V @ 250μA	2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	641pF @ 15V	608pF @ 15V	501pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	13.2nC @ 10V	12.9nC @ 10V	9.8nC @ 10V
Время подъема	17.1ns	3.3ns	4.9ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-	30V
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	-	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Время падения (тип)	40.4 ns	8 ns	12.4 ns
Непрерывный ток стока (ID)	5.8A	7.2A	4.2A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	5.5A	5.7A	5.3A
Минимальная напряжённость разрушения	30V	-	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Высота	1.5mm	-	1.5mm
Длина	4.95mm	-	4.95mm
Ширина	3.95mm	-	3.95mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Безоловая кодировка	-	yes	-
Основной номер части	-	DMN3024LSD	DMC3025
Число контактов	-	8	-
Распад мощности	-	2W	-
Напряжение пробоя стока к истоку	-	30V	-30V
Без свинца	-	-	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN3024LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO	Для сравнения
DMC3025LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO	Для сравнения
IRF9410TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC	Для сравнения
DMN3025LSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO	Для сравнения