Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMC3025LSD-13 Альтернативные части: SI4128DY-T1-E3 ,DMP3085LSD-13
DMC3025LSD-13Diodes Incorporated
В наличии: 5811
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
12.912912 ₽
12.91 ₽
10
12.181992 ₽
121.84 ₽
100
11.492445 ₽
1,149.18 ₽
500
10.841937 ₽
5,421.02 ₽
1000
10.228242 ₽
10,228.30 ₽
Цена за единицу: 12.912912 ₽
Итоговая цена: 12.91 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO | MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC | MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | 14 Weeks | 23 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | 186.993455mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6.5A 4.2A | 10.9A Ta | 3.9A |
Количество элементов | 2 | 1 | 2 |
Время отключения | 28.4 ns | 15 ns | 31 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Digi-Reel® |
Опубликовано | 2012 | 2016 | 2013 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | MATTE TIN | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 1.2W | - | 1.1W |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 40 | 30 |
Основной номер части | DMC3025 | - | - |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | AEC-Q101 |
Каналов количество | 2 | 1 | 2 |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 6.8 ns | 5 ns | 4.8 ns |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N-Channel | 2 P-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 20m Ω @ 7.4A, 10V | 24m Ω @ 7.8A, 10V | 70m Ω @ 5.3A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2V @ 250μA | 2.5V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 501pF @ 15V | 435pF @ 15V | 563pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 9.8nC @ 10V | 12nC @ 10V | 11nC @ 10V |
Время подъема | 4.9ns | 10ns | 5ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | 30V |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - | - |
Время падения (тип) | 12.4 ns | 10 ns | 14.6 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 4.2A | 10.9A | -3.9A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 5.3A | - | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | - | -30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | 1.7mm |
Длина | 4.95mm | 5mm | 4.95mm |
Ширина | 3.95mm | 4mm | 3.95mm |
REACH SVHC | No SVHC | - | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V 10V | - |
Максимальная мощность рассеяния | - | 2.4W Ta 5W Tc | - |
Серия | - | TrenchFET® | - |
Число контактов | - | 8 | - |
Конфигурация элемента | - | Single | - |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V | - |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.024Ohm | 0.07Ohm |
Минимальная напряжённость разрушения | - | 30V | - |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Распад мощности | - | - | 1.1W |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | - | 150°C |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4128DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC | Для сравнения |
 | DMP3085LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO | Для сравнения |
| ZXMC3F31DN8TA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SO T/R | Для сравнения |
| DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO | Для сравнения |