DMC3025LSD-13 Альтернативные части: DMP3085LSD-13

DMC3025LSD-13Diodes Incorporated

  • DMC3025LSD-13Diodes Incorporated
  • DMP3085LSD-13Diodes Incorporated

В наличии: 5811

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    12.912912 ₽

    12.91 ₽

  • 10

    12.181992 ₽

    121.84 ₽

  • 100

    11.492445 ₽

    1,149.18 ₽

  • 500

    10.841937 ₽

    5,421.02 ₽

  • 1000

    10.228242 ₽

    10,228.30 ₽

Цена за единицу: 12.912912 ₽

Итоговая цена: 12.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Срок поставки от производителя
17 Weeks
23 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
8
Вес
73.992255mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
6.5A 4.2A
3.9A
Количество элементов
2
2
Время отключения
28.4 ns
31 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Опубликовано
2012
2013
Код JESD-609
e3
e3
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
8
8
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности
1.2W
1.1W
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
30
30
Основной номер части
DMC3025
-
Нормативная Марка
AEC-Q101
AEC-Q101
Каналов количество
2
2
Режим работы
ENHANCEMENT MODE
ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения
6.8 ns
4.8 ns
Тип ТРВ
N and P-Channel
2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
20m Ω @ 7.4A, 10V
70m Ω @ 5.3A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
2V @ 250μA
3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
501pF @ 15V
563pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
9.8nC @ 10V
11nC @ 10V
Время подъема
4.9ns
5ns
Напряжение стока-исток (Vdss)
30V
30V
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
-
Время падения (тип)
12.4 ns
14.6 ns
Непрерывный ток стока (ID)
4.2A
-3.9A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
20V
Максимальный сливовой ток (ID)
5.3A
-
Напряжение пробоя стока к истоку
-30V
-30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Высота
1.5mm
1.7mm
Длина
4.95mm
4.95mm
Ширина
3.95mm
3.95mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Распад мощности
-
1.1W
Сопротивление открытого канала-макс
-
0.07Ohm
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
Корпусировка на излучение
-
No