DMC3025LSD-13 Альтернативные части: ZXMC3F31DN8TA

DMC3025LSD-13Diodes Incorporated

  • DMC3025LSD-13Diodes Incorporated
  • ZXMC3F31DN8TADiodes Incorporated

В наличии: 5811

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    12.912912 ₽

    12.91 ₽

  • 10

    12.181992 ₽

    121.84 ₽

  • 100

    11.492445 ₽

    1,149.18 ₽

  • 500

    10.841937 ₽

    5,421.02 ₽

  • 1000

    10.228242 ₽

    10,228.30 ₽

Цена за единицу: 12.912912 ₽

Итоговая цена: 12.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SO T/R
Срок поставки от производителя
17 Weeks
17 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
8
Вес
73.992255mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
6.5A 4.2A
6.8A 4.9A
Количество элементов
2
2
Время отключения
28.4 ns
30 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2012
2008
Код JESD-609
e3
e3
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
8
8
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
-
Максимальная потеря мощности
1.2W
1.8W
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
30
40
Основной номер части
DMC3025
-
Нормативная Марка
AEC-Q101
-
Каналов количество
2
-
Режим работы
ENHANCEMENT MODE
ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения
6.8 ns
1.9 ns
Тип ТРВ
N and P-Channel
N and P-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
20m Ω @ 7.4A, 10V
24m Ω @ 7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
2V @ 250μA
3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
501pF @ 15V
608pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
9.8nC @ 10V
12.9nC @ 10V
Время подъема
4.9ns
3ns
Напряжение стока-исток (Vdss)
30V
30V
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Время падения (тип)
12.4 ns
21 ns
Непрерывный ток стока (ID)
4.2A
4.9A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
20V
Максимальный сливовой ток (ID)
5.3A
5.7A
Напряжение пробоя стока к истоку
-30V
-30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП
Logic Level Gate
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Высота
1.5mm
-
Длина
4.95mm
-
Ширина
3.95mm
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Безоловая кодировка
-
yes
Число контактов
-
8
Распад мощности
-
2.1W
Корпусировка на излучение
-
No