DDTC144VE-7 Альтернативные части: DDTC123YE-7-F ,DDTC123YE-7

DDTC144VE-7Diodes Incorporated

В наличии: 5883

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
0.030701 ₽
0.14 ₽
500
0.022541 ₽
11.26 ₽
1000
0.018805 ₽
18.82 ₽
2000
0.017266 ₽
34.48 ₽
5000
0.016113 ₽
80.49 ₽
10000
0.014973 ₽
149.73 ₽
15000
0.014492 ₽
217.31 ₽
50000
0.014299 ₽
714.97 ₽

Цена за единицу: 0.030701 ₽

Итоговая цена: 0.14 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDDTC144VE-7	иDDTC123YE-7-F	иDDTC123YE-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523	Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 2.2KW 10KW
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-523	SOT-523	SOT-523
Количество контактов	3	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	33	33	33
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2007	2007
Код JESD-609	e0	e3	e0
Состояние изделия	Discontinued	Active	Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V	50V
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW	150mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	235	260	235
Код соответствия REACH	not_compliant	-	not_compliant
Моментальный ток	100mA	100mA	100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	40	10
Число контактов	3	3	3
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
Направленность	NPN	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Частота перехода	250MHz	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)	33	33	33
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Contains Lead	Lead Free	Contains Lead
Вес	-	2.012816mg	2.012816mg
Безоловая кодировка	-	yes	-
Прямоходящий ток коллектора	-	100mA	100mA
Высота	-	750μm	750μm
Длина	-	1.6mm	1.6mm
Ширина	-	800μm	800μm

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DDTC123YE-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-523	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523	Для сравнения
DDTC123YE-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-523	Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 2.2KW 10KW	Для сравнения
FJY3002R	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-89, SOT-490	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY3002R Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE	Для сравнения
DDTC113ZE-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-523	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523	Для сравнения