Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DDTC144VE-7 Альтернативные части: DDTC113ZE-7
DDTC144VE-7Diodes Incorporated
В наличии: 5883
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
0.030701 ₽
0.14 ₽
500
0.022541 ₽
11.26 ₽
1000
0.018805 ₽
18.82 ₽
2000
0.017266 ₽
34.48 ₽
5000
0.016113 ₽
80.49 ₽
10000
0.014973 ₽
149.73 ₽
15000
0.014492 ₽
217.31 ₽
50000
0.014299 ₽
714.97 ₽
Цена за единицу: 0.030701 ₽
Итоговая цена: 0.14 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-523 | SOT-523 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 33 | 33 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2007 |
Код JESD-609 | e0 | e0 |
Состояние изделия | Discontinued | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 50V |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 150mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 235 | 235 |
Код соответствия REACH | not_compliant | not_compliant |
Моментальный ток | 100mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 10 |
Число контактов | 3 | 3 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | Not Qualified |
Направленность | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | 33 | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Contains Lead | Contains Lead |
Вид крепления | - | Surface Mount |
Тип транзистора | - | NPN - Pre-Biased + Diode |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | - | 33 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота - Переход | - | 250MHz |
База (R1) | - | 1 k Ω |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 10 k Ω |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DDTC123YE-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-523 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 | Для сравнения |
| DDTC123YE-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-523 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 2.2KW 10KW | Для сравнения |
 | FJY3002R | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-89, SOT-490 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY3002R Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE | Для сравнения |
| DDTC113ZE-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-523 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 | Для сравнения |