DDTC144VE-7 Альтернативные части: FJY3002R

DDTC144VE-7Diodes Incorporated

  • DDTC144VE-7Diodes Incorporated
  • FJY3002RON Semiconductor

В наличии: 5883

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    0.030701 ₽

    0.14 ₽

  • 500

    0.022541 ₽

    11.26 ₽

  • 1000

    0.018805 ₽

    18.82 ₽

  • 2000

    0.017266 ₽

    34.48 ₽

  • 5000

    0.016113 ₽

    80.49 ₽

  • 10000

    0.014973 ₽

    149.73 ₽

  • 15000

    0.014492 ₽

    217.31 ₽

  • 50000

    0.014299 ₽

    714.97 ₽

Цена за единицу: 0.030701 ₽

Итоговая цена: 0.14 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY3002R Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-523
SC-89, SOT-490
Количество контактов
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
33
30
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2013
Код JESD-609
e0
e3
Состояние изделия
Discontinued
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Lead (Sn85Pb15)
Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
40V
Максимальная потеря мощности
150mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)
235
-
Код соответствия REACH
not_compliant
-
Моментальный ток
100mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
-
Число контактов
3
-
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Направленность
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
33
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Contains Lead
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
-
2 Weeks
Вид крепления
-
Surface Mount
Вес
-
30mg
Безоловая кодировка
-
yes
Завершение
-
SMD/SMT
Основной номер части
-
FJY3002
Распад мощности
-
200mW
Применение транзистора
-
SWITCHING
Тип транзистора
-
NPN - Pre-Biased
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
-
30 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
300mV @ 500μA, 10mA
Частота - Переход
-
250MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
10V
База (R1)
-
10 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
-
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
10 k Ω
Высота
-
780μm
Длина
-
1.7mm
Ширина
-
980μm
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No