DDTA114YCA-7-F Альтернативные части: FJV4113RMTF ,DDTA143FCA-7-F

DDTA114YCA-7-FDiodes Incorporated

  • DDTA114YCA-7-FDiodes Incorporated
  • FJV4113RMTFON Semiconductor
  • DDTA143FCA-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2045

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    9.431401 ₽

    9.48 ₽

  • 500

    6.934808 ₽

    3,467.45 ₽

  • 1000

    5.779052 ₽

    5,779.12 ₽

  • 2000

    5.301827 ₽

    10,603.71 ₽

  • 5000

    4.954986 ₽

    24,775.00 ₽

  • 10000

    4.609299 ₽

    46,092.99 ₽

  • 15000

    4.457802 ₽

    66,867.03 ₽

  • 50000

    4.383255 ₽

    219,162.77 ₽

Цена за единицу: 9.431401 ₽

Итоговая цена: 9.48 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/2.2K 47K
Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 4.7K 22K
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
7.994566mg
30mg
7.994566mg
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
68
68
68
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2013
2008
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7
-
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.95
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-50V
-
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
NOT SPECIFIED
260
Код соответствия REACH
not_compliant
-
-
Моментальный ток
-100mA
-100mA
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
NOT SPECIFIED
40
Число контактов
3
-
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
Not Qualified
Not Qualified
Направленность
PNP
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
50V
300mV
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Частота перехода
250MHz
200MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-300mV
-10V
-
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
68
-
-
Прямоходящий ток коллектора
-100mA
-100mA
100mA
Высота
1mm
930μm
1mm
Длина
3.05mm
2.92mm
3.05mm
Ширина
1.4mm
1.3mm
1.4mm
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
-
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
-
Срок поставки от производителя
-
2 Weeks
12 Weeks
Вид крепления
-
Surface Mount
Surface Mount
Основной номер части
-
FJV4113
DDTA143
Распад мощности
-
200mW
-
Применение транзистора
-
SWITCHING
-
Тип транзистора
-
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
-
68 @ 5mA 5V
68 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
100nA ICBO
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 500μA, 10mA
Частота - Переход
-
200MHz
250MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
-50V
-
База (R1)
-
2.2 k Ω
4.7 k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
47 k Ω
22 k Ω