DDTA114YCA-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 2045
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
9.431401 ₽
9.48 ₽
500
6.934808 ₽
3,467.45 ₽
1000
5.779052 ₽
5,779.12 ₽
2000
5.301827 ₽
10,603.71 ₽
5000
4.954986 ₽
24,775.00 ₽
10000
4.609299 ₽
46,092.99 ₽
15000
4.457802 ₽
66,867.03 ₽
50000
4.383255 ₽
219,162.77 ₽
Цена за единицу: 9.431401 ₽
Итоговая цена: 9.48 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/4.7K 47K |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 30mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 68 | 68 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2015 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7 | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.95 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | NOT SPECIFIED |
Код соответствия REACH | not_compliant | - |
Моментальный ток | -100mA | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | NOT SPECIFIED |
Число контактов | 3 | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | Not Qualified |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Частота перехода | 250MHz | 200MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -300mV | 10V |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | 68 | - |
Прямоходящий ток коллектора | -100mA | -100mA |
Высота | 1mm | - |
Длина | 3.05mm | - |
Ширина | 1.4mm | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) |
Срок поставки от производителя | - | 14 Weeks |
Вид крепления | - | Surface Mount |
Основной номер части | - | FJV4114 |
Распад мощности | - | 200mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Тип транзистора | - | PNP - Pre-Biased |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | - | 68 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота - Переход | - | 200MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | 50V |
База (R1) | - | 4.7 k Ω |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 47 k Ω |