DDTA114YCA-7-F Альтернативные части: DDTA144ECA-7-F

DDTA114YCA-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2045

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
9.431401 ₽
9.48 ₽
500
6.934808 ₽
3,467.45 ₽
1000
5.779052 ₽
5,779.12 ₽
2000
5.301827 ₽
10,603.71 ₽
5000
4.954986 ₽
24,775.00 ₽
10000
4.609299 ₽
46,092.99 ₽
15000
4.457802 ₽
66,867.03 ₽
50000
4.383255 ₽
219,162.77 ₽

Цена за единицу: 9.431401 ₽

Итоговая цена: 9.48 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDDTA114YCA-7-F	иDDTA144ECA-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	68	68
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2008
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	-50V	-50V
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Код соответствия REACH	not_compliant	-
Моментальный ток	-100mA	-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Число контактов	3	3
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified
Направленность	PNP	PNP
Конфигурация элемента	Single	Single
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Частота перехода	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-300mV	-
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)	68	-
Прямоходящий ток коллектора	-100mA	100mA
Высота	1mm	1mm
Длина	3.05mm	3.05mm
Ширина	1.4mm	1.4mm
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	19 Weeks
Вид крепления	-	Surface Mount
Основной номер части	-	DDTA144
Тип транзистора	-	PNP - Pre-Biased
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	-	68 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	-	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	-	300mV @ 500μA, 10mA
Частота - Переход	-	250MHz
База (R1)	-	47 k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)	-	47 k Ω

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FJV4114RMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/4.7K 47K	Для сравнения
FJV4113RMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/2.2K 47K	Для сравнения
DDTA143FCA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 4.7K 22K	Для сравнения
DDTA144ECA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	Для сравнения