BC848C-7-F Альтернативные части: MMBT5088 ,BC848A-7-F

BC848C-7-FDiodes Incorporated

  • BC848C-7-FDiodes Incorporated
  • MMBT5088ON Semiconductor
  • BC848A-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 10

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    2.101786 ₽

    2.06 ₽

  • 10

    1.982816 ₽

    19.78 ₽

  • 100

    1.870577 ₽

    187.09 ₽

  • 500

    1.764698 ₽

    882.42 ₽

  • 1000

    1.664808 ₽

    1,664.84 ₽

Цена за единицу: 2.101786 ₽

Итоговая цена: 2.06 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
DIODES INC. - BC848C-7-F - TRANSISTOR, NPN, 30V, 100mA, 300mW, SOT-23
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Срок поставки от производителя
15 Weeks
39 Weeks
15 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
7.994566mg
30mg
7.994566mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
30V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
420
300
110
Рабочая температура
-65°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-65°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2013
2007
Код JESD-609
e3
-
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
3
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
-
HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности
300mW
350mW
300mW
Положение терминала
DUAL
-
DUAL
Форма вывода
GULL WING
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
260
Частота
300MHz
50MHz
300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
40
Основной номер части
BC848C
MMBT5088
BC848A
Число контактов
3
-
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Not Qualified
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
310mW
350mW
350mW
Применение транзистора
SWITCHING
-
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
300MHz
50MHz
300MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
30V
30V
Максимальный ток сбора
200mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
420 @ 2mA 5V
300 @ 100μA 5V
110 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
15nA
50nA ICBO
15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
500mV @ 1mA, 10mA
600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода
300MHz
-
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
30V
30V
30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
35V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
4.5V
5V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
-
Прямоходящий ток коллектора
100mA
-
-
Высота
1.1mm
6.35mm
1mm
Длина
3.05mm
6.35mm
3.05mm
Ширина
1.4mm
6.35mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
-
Поставщик упаковки устройства
-
SOT-23
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
100mA
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
30V
-
Моментальный ток
-
50mA
-
Направленность
-
NPN
-
Мощность - Макс
-
350mW
300mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
30V
-
Частота - Переход
-
50MHz
-
Корпусировка на излучение
-
No
-