Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
BC848C-7-F Альтернативные части: BCW60D
BC848C-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 10
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
2.101786 ₽
2.06 ₽
10
1.982816 ₽
19.78 ₽
100
1.870577 ₽
187.09 ₽
500
1.764698 ₽
882.42 ₽
1000
1.664808 ₽
1,664.84 ₽
Цена за единицу: 2.101786 ₽
Итоговая цена: 2.06 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | DIODES INC. - BC848C-7-F - TRANSISTOR, NPN, 30V, 100mA, 300mW, SOT-23 | TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | - |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 30V | 32V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 420 | 380 |
Рабочая температура | -65°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | - |
Код JESD-609 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 350mW |
Положение терминала | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Частота | 300MHz | 125MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - |
Основной номер части | BC848C | BCW60 |
Число контактов | 3 | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 310mW | 350mW |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Продуктивность полосы частот | 300MHz | 125MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | - |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 30V | 32V |
Максимальный ток сбора | 200mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 420 @ 2mA 5V | 380 @ 2mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 15nA | 20nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
Частота перехода | 300MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 30V | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | 32V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | - |
Высота | 1.1mm | - |
Длина | 3.05mm | - |
Ширина | 1.4mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 32V |
Моментальный ток | - | 100mA |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BCW60D | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 | Для сравнения |
 | BC848B-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
| MMBT5088 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 | Для сравнения |
| BC848A-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR | Для сравнения |