BC848C-7-F Альтернативные части: BC848A-7-F

BC848C-7-FDiodes Incorporated

  • BC848C-7-FDiodes Incorporated
  • BC848A-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 10

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    2.101786 ₽

    2.06 ₽

  • 10

    1.982816 ₽

    19.78 ₽

  • 100

    1.870577 ₽

    187.09 ₽

  • 500

    1.764698 ₽

    882.42 ₽

  • 1000

    1.664808 ₽

    1,664.84 ₽

Цена за единицу: 2.101786 ₽

Итоговая цена: 2.06 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
DIODES INC. - BC848C-7-F - TRANSISTOR, NPN, 30V, 100mA, 300mW, SOT-23
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
7.994566mg
7.994566mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
420
110
Рабочая температура
-65°C~150°C TJ
-65°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2007
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности
300mW
300mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Частота
300MHz
300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Основной номер части
BC848C
BC848A
Число контактов
3
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
Not Qualified
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
310mW
350mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
300MHz
300MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
30V
Максимальный ток сбора
200mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
420 @ 2mA 5V
110 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
15nA
15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода
300MHz
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
30V
30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
Прямоходящий ток коллектора
100mA
-
Высота
1.1mm
1mm
Длина
3.05mm
3.05mm
Ширина
1.4mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Мощность - Макс
-
300mW