BC848C-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 10
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
2.101786 ₽
2.06 ₽
10
1.982816 ₽
19.78 ₽
100
1.870577 ₽
187.09 ₽
500
1.764698 ₽
882.42 ₽
1000
1.664808 ₽
1,664.84 ₽
Цена за единицу: 2.101786 ₽
Итоговая цена: 2.06 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | DIODES INC. - BC848C-7-F - TRANSISTOR, NPN, 30V, 100mA, 300mW, SOT-23 | Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 15 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 7.994566mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 30V | 30V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 420 | 110 |
Рабочая температура | -65°C~150°C TJ | -65°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 300mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Частота | 300MHz | 300MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | BC848C | BC848A |
Число контактов | 3 | 3 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | Not Qualified |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 310mW | 350mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 300MHz | 300MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 30V | 30V |
Максимальный ток сбора | 200mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 420 @ 2mA 5V | 110 @ 2mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 15nA | 15nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | 600mV @ 5mA, 100mA |
Частота перехода | 300MHz | 300MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 30V | 30V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | - |
Высота | 1.1mm | 1mm |
Длина | 3.05mm | 3.05mm |
Ширина | 1.4mm | 1.4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Мощность - Макс | - | 300mW |