BC848A-7-F Альтернативные части: BC848AMTF ,BC849CMTF

BC848A-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2817

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.337624 ₽
8.38 ₽
500
6.130604 ₽
3,065.25 ₽
1000
5.108887 ₽
5,108.93 ₽
2000
4.687005 ₽
9,374.04 ₽
5000
4.380371 ₽
21,901.92 ₽
10000
4.074780 ₽
40,747.80 ₽
15000
3.940755 ₽
59,111.26 ₽
50000
3.874931 ₽
193,746.57 ₽

Цена за единицу: 8.337624 ₽

Итоговая цена: 8.38 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC848A-7-F	иBC848AMTF	иBC849CMTF
Производитель:	Diodes Incorporated	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
Срок поставки от производителя	15 Weeks	48 Weeks	-
Покрытие контактов	Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	7.994566mg	30mg	30mg
Материал элемента транзистора	SILICON	-	-
Диэлектрический пробой напряжение	30V	30V	30V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	110	110	110
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	-	-
Код JESD-609	e3	-	-
Безоловая кодировка	yes	-	-
Состояние изделия	Active	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	-	-
Код ECCN	EAR99	-	-
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-	-
Максимальная потеря мощности	300mW	310mW	310mW
Положение терминала	DUAL	-	-
Форма вывода	GULL WING	-	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	-
Частота	300MHz	300MHz	300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-	-
Основной номер части	BC848A	BC848	BC849
Число контактов	3	-	-
Квалификационный Статус	Not Qualified	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	350mW	310mW	310mW
Мощность - Макс	300mW	-	-
Применение транзистора	SWITCHING	-	-
Продуктивность полосы частот	300MHz	300MHz	300MHz
Полярность/Тип канала	NPN	-	-
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	30V	30V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	110 @ 2mA 5V	110 @ 2mA 5V	420 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA	15nA ICBO	15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	300MHz	-	-
Максимальное напряжение разрушения	30V	-	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	30V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	5V
Высота	1mm	-	-
Длина	3.05mm	-	-
Ширина	1.4mm	-	-
REACH SVHC	No SVHC	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V	30V
Моментальный ток	-	100mA	100mA

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC848AMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23	Для сравнения
BC849CMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23	Для сравнения
BC848C-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DIODES INC. - BC848C-7-F - TRANSISTOR, NPN, 30V, 100mA, 300mW, SOT-23	Для сравнения
BC848B-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения