BC848A-7-F Альтернативные части: BC848C-7-F

BC848A-7-FDiodes Incorporated

  • BC848A-7-FDiodes Incorporated
  • BC848C-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2817

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    8.337624 ₽

    8.38 ₽

  • 500

    6.130604 ₽

    3,065.25 ₽

  • 1000

    5.108887 ₽

    5,108.93 ₽

  • 2000

    4.687005 ₽

    9,374.04 ₽

  • 5000

    4.380371 ₽

    21,901.92 ₽

  • 10000

    4.074780 ₽

    40,747.80 ₽

  • 15000

    3.940755 ₽

    59,111.26 ₽

  • 50000

    3.874931 ₽

    193,746.57 ₽

Цена за единицу: 8.337624 ₽

Итоговая цена: 8.38 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
DIODES INC. - BC848C-7-F - TRANSISTOR, NPN, 30V, 100mA, 300mW, SOT-23
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
7.994566mg
7.994566mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
110
420
Рабочая температура
-65°C~150°C TJ
-65°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2008
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности
300mW
300mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Частота
300MHz
300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Основной номер части
BC848A
BC848C
Число контактов
3
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
Not Qualified
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
310mW
Мощность - Макс
300mW
-
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
300MHz
300MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
30V
Максимальный ток сбора
100mA
200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
110 @ 2mA 5V
420 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
15nA
15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода
300MHz
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
30V
30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Высота
1mm
1.1mm
Длина
3.05mm
3.05mm
Ширина
1.4mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
Прямоходящий ток коллектора
-
100mA