BC848A-7-F Альтернативные части: BC848B-7-F

BC848A-7-FDiodes Incorporated

  • BC848A-7-FDiodes Incorporated
  • BC848B-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2817

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    8.337624 ₽

    8.38 ₽

  • 500

    6.130604 ₽

    3,065.25 ₽

  • 1000

    5.108887 ₽

    5,108.93 ₽

  • 2000

    4.687005 ₽

    9,374.04 ₽

  • 5000

    4.380371 ₽

    21,901.92 ₽

  • 10000

    4.074780 ₽

    40,747.80 ₽

  • 15000

    3.940755 ₽

    59,111.26 ₽

  • 50000

    3.874931 ₽

    193,746.57 ₽

Цена за единицу: 8.337624 ₽

Итоговая цена: 8.38 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
7.994566mg
7.994566mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
110
200
Рабочая температура
-65°C~150°C TJ
-65°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2008
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности
300mW
300mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Частота
300MHz
300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Основной номер части
BC848A
-
Число контактов
3
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Мощность - Макс
300mW
300mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
300MHz
300MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
30V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
110 @ 2mA 5V
200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
15nA
15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода
300MHz
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
30V
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Высота
1mm
1mm
Длина
3.05mm
3.05mm
Ширина
1.4mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
Корпусировка на излучение
-
No