BC847B-7-F Альтернативные части: BC847C-13-F ,BC847A-7-F

BC847B-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 12019

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
1.672665 ₽
1.65 ₽
10
1.577981 ₽
15.80 ₽
100
1.488668 ₽
148.90 ₽
500
1.404396 ₽
702.20 ₽
1000
1.324904 ₽
1,324.86 ₽

Цена за единицу: 1.672665 ₽

Итоговая цена: 1.65 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC847B-7-F	иBC847C-13-F	иBC847A-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	DIODES INC. - BC847B-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE	Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Срок поставки от производителя	19 Weeks	15 Weeks	15 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	7.994566mg	-	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	45V	45V	45V
Максимальный коллекторный ток (Ic)	100mA	100mA	-
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	200	-	110
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2012	2005	2008
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	300mW	310mW	300mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Частота	300MHz	300MHz	300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	BC847	-	BC847
Число контактов	3	-	3
Квалификационный Статус	Not Qualified	-	Not Qualified
Конфигурация элемента	Single	-	Single
Распад мощности	310mW	350mW	350mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	300MHz	-	300MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	45V	45V
Максимальный ток сбора	200mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 2mA 5V	200 @ 2mA 5V	110 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA	15nA	15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	300MHz	300MHz	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	45V	-	45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V	6V
Максимальная температура перехода (Тj)	150°C	-	-
Высота	1.1mm	-	1mm
Длина	3.05mm	-	3.05mm
Ширина	1.4mm	-	1.4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Конфигурация	-	SINGLE	-
Завершение	-	-	SMD/SMT
Мощность - Макс	-	-	300mW

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC847C-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3	Для сравнения
BC847C-13-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
BC847A-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения
BC847AMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP	Для сравнения