BC847B-7-F Альтернативные части: BC847C-7-F

BC847B-7-FDiodes Incorporated

  • BC847B-7-FDiodes Incorporated
  • BC847C-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 12019

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    1.672665 ₽

    1.65 ₽

  • 10

    1.577981 ₽

    15.80 ₽

  • 100

    1.488668 ₽

    148.90 ₽

  • 500

    1.404396 ₽

    702.20 ₽

  • 1000

    1.324904 ₽

    1,324.86 ₽

Цена за единицу: 1.672665 ₽

Итоговая цена: 1.65 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
DIODES INC. - BC847B-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Срок поставки от производителя
19 Weeks
15 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
7.994566mg
7.994566mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
45V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
100mA
-
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
200
420
Рабочая температура
-65°C~150°C TJ
-65°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2012
2008
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности
300mW
300mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Частота
300MHz
300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Основной номер части
BC847
BC847
Число контактов
3
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
310mW
350mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
300MHz
300MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
45V
Максимальный ток сбора
200mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
420 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
15nA
15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода
300MHz
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
45V
45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
Высота
1.1mm
1mm
Длина
3.05mm
3.05mm
Ширина
1.4mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Завершение
-
SMD/SMT
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
45V
Моментальный ток
-
100mA
Корпусировка на излучение
-
No