BC847B-7-F Альтернативные части: BC847AMTF

BC847B-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 12019

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
1.672665 ₽
1.65 ₽
10
1.577981 ₽
15.80 ₽
100
1.488668 ₽
148.90 ₽
500
1.404396 ₽
702.20 ₽
1000
1.324904 ₽
1,324.86 ₽

Цена за единицу: 1.672665 ₽

Итоговая цена: 1.65 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC847B-7-F	иBC847AMTF
Производитель:	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	DIODES INC. - BC847B-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE	Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP
Срок поставки от производителя	19 Weeks	17 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	7.994566mg	30mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	45V	45V
Максимальный коллекторный ток (Ic)	100mA	-
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	200	110
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2012	2011
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-
Максимальная потеря мощности	300mW	310mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	NOT SPECIFIED
Частота	300MHz	300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	NOT SPECIFIED
Основной номер части	BC847	BC847
Число контактов	3	-
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	310mW	310mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	300MHz	300MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	45V
Максимальный ток сбора	200mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 2mA 5V	110 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA	15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	300MHz	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	45V	45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V
Максимальная температура перехода (Тj)	150°C	-
Высота	1.1mm	930μm
Длина	3.05mm	2.92mm
Ширина	1.4mm	1.3mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	45V
Моментальный ток	-	100mA

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC847C-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3	Для сравнения
BC847C-13-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
BC847A-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения
BC847AMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP	Для сравнения