BC817-16W-7 Альтернативные части: BC817-25W-7 ,DDTD143TU-7-F

BC817-16W-7Diodes Incorporated

  • BC817-16W-7Diodes Incorporated
  • BC817-25W-7Diodes Incorporated
  • DDTD143TU-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    11.309231 ₽

    11.26 ₽

  • 10

    10.669093 ₽

    106.73 ₽

  • 100

    10.065206 ₽

    1,006.46 ₽

  • 500

    9.495495 ₽

    4,747.80 ₽

  • 1000

    8.958008 ₽

    8,957.97 ₽

Цена за единицу: 11.309231 ₽

Итоговая цена: 11.26 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
Bipolar Transistors - BJT NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANS
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Срок поставки от производителя
13 Weeks
19 Weeks
8 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
3
Вес
7.994566mg
6.010099mg
6.010099mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
45V
45V
50V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
160
100
Рабочая температура
-65°C~150°C TJ
-65°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2006
2007
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
-
8541.21.00.75
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
40
Основной номер части
BC817
BC817
DTD143
Число контактов
3
3
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
-
Продуктивность полосы частот
100MHz
100MHz
-
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
45V
40V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
160 @ 100mA 1V
100 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100nA
500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
700mV @ 50mA, 500mA
300mV @ 2.5mA, 50mA
Максимальная частота
100MHz
-
-
Частота перехода
100MHz
100MHz
200MHz
Максимальное напряжение разрушения
45V
45V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
50V
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
-
Высота
1mm
1mm
1mm
Длина
2.2mm
2.2mm
2.2mm
Ширина
1.35mm
1.35mm
1.35mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
-
Частота
-
100MHz
-
Распад мощности
-
200mW
-
Корпусировка на излучение
-
No
No
Конечная обработка контакта
-
-
Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
-
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-
-55°C
Дополнительная Характеристика
-
-
BUILT-IN BIAS RESISTOR
Направленность
-
-
NPN
Частота - Переход
-
-
200MHz
База (R1)
-
-
4.7 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
-
-
500mA