BC817-16W-7Diodes Incorporated
В наличии: 3000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
11.309231 ₽
11.26 ₽
10
10.669093 ₽
106.73 ₽
100
10.065206 ₽
1,006.46 ₽
500
9.495495 ₽
4,747.80 ₽
1000
8.958008 ₽
8,957.97 ₽
Цена за единицу: 11.309231 ₽
Итоговая цена: 11.26 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3 | Bipolar Transistors - BJT NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANS | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 19 Weeks | 8 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 6.010099mg | 6.010099mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 45V | 45V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 100 | 160 | 100 |
Рабочая температура | -65°C~150°C TJ | -65°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2006 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.95 | - | 8541.21.00.75 |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 40 |
Основной номер части | BC817 | BC817 | DTD143 |
Число контактов | 3 | 3 | 3 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Продуктивность полосы частот | 100MHz | 100MHz | - |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN | - |
Тип транзистора | NPN | NPN | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 45V | 45V | 40V |
Максимальный ток сбора | 500mA | 500mA | 500mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 100mA 1V | 160 @ 100mA 1V | 100 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA | 100nA | 500nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA | 700mV @ 50mA, 500mA | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Максимальная частота | 100MHz | - | - |
Частота перехода | 100MHz | 100MHz | 200MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 45V | 45V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 50V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V | - |
Высота | 1mm | 1mm | 1mm |
Длина | 2.2mm | 2.2mm | 2.2mm |
Ширина | 1.35mm | 1.35mm | 1.35mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Частота | - | 100MHz | - |
Распад мощности | - | 200mW | - |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Конечная обработка контакта | - | - | Matte Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | - | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | - | -55°C |
Дополнительная Характеристика | - | - | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Направленность | - | - | NPN |
Частота - Переход | - | - | 200MHz |
База (R1) | - | - | 4.7 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | - | - | 500mA |