BC817-16W-7 Альтернативные части: FJX2222ATF

BC817-16W-7Diodes Incorporated

  • BC817-16W-7Diodes Incorporated
  • FJX2222ATFON Semiconductor

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    11.309231 ₽

    11.26 ₽

  • 10

    10.669093 ₽

    106.73 ₽

  • 100

    10.065206 ₽

    1,006.46 ₽

  • 500

    9.495495 ₽

    4,747.80 ₽

  • 1000

    8.958008 ₽

    8,957.97 ₽

Цена за единицу: 11.309231 ₽

Итоговая цена: 11.26 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Срок поставки от производителя
13 Weeks
6 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
Вес
7.994566mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
40V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Рабочая температура
-65°C~150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2010
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
-
Максимальная потеря мощности
200mW
325mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
Основной номер части
BC817
FJX2222
Число контактов
3
-
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Применение транзистора
SWITCHING
-
Продуктивность полосы частот
100MHz
300MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
40V
Максимальный ток сбора
500mA
600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
100 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
1V @ 50mA, 500mA
Максимальная частота
100MHz
-
Частота перехода
100MHz
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
45V
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
6V
Высота
1mm
900μm
Длина
2.2mm
2mm
Ширина
1.35mm
1.25mm
REACH SVHC
No SVHC
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
40V
Моментальный ток
-
600mA
Частота
-
300MHz
Распад мощности
-
325mW
Время выключения максимальное (toff)
-
285ns
Корпусировка на излучение
-
No