BC817-16W-7 Альтернативные части: BC817-25W-7

BC817-16W-7Diodes Incorporated

  • BC817-16W-7Diodes Incorporated
  • BC817-25W-7Diodes Incorporated

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    11.309231 ₽

    11.26 ₽

  • 10

    10.669093 ₽

    106.73 ₽

  • 100

    10.065206 ₽

    1,006.46 ₽

  • 500

    9.495495 ₽

    4,747.80 ₽

  • 1000

    8.958008 ₽

    8,957.97 ₽

Цена за единицу: 11.309231 ₽

Итоговая цена: 11.26 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
Bipolar Transistors - BJT NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANS
Срок поставки от производителя
13 Weeks
19 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
Вес
7.994566mg
6.010099mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
45V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
160
Рабочая температура
-65°C~150°C TJ
-65°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2006
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
-
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Основной номер части
BC817
BC817
Число контактов
3
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
100MHz
100MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
45V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
160 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
700mV @ 50mA, 500mA
Максимальная частота
100MHz
-
Частота перехода
100MHz
100MHz
Максимальное напряжение разрушения
45V
45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Высота
1mm
1mm
Длина
2.2mm
2.2mm
Ширина
1.35mm
1.35mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Частота
-
100MHz
Распад мощности
-
200mW
Корпусировка на излучение
-
No