2SD2704KT146 Альтернативные части: 2SD2114KT146W ,IMX25T110

2SD2704KT146ROHM Semiconductor

В наличии: 48000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
6.013736 ₽
6.04 ₽
10
5.673338 ₽
56.73 ₽
100
5.352198 ₽
535.16 ₽
500
5.049245 ₽
2,524.59 ₽
1000
4.763448 ₽
4,763.46 ₽

Цена за единицу: 6.013736 ₽

Итоговая цена: 6.04 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SD2704KT146	и2SD2114KT146W	иIMX25T110
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS NPN 20V 0.3A SOT23-3	TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346	TRANS 2NPN 20V 0.3A 6SMT
Срок поставки от производителя	13 Weeks	13 Weeks	13 Weeks
Покрытие контактов	Copper, Silver, Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	-	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-74, SOT-457
Количество контактов	3	-	6
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	20V	-	20V
Количество элементов	1	1	2
Минимальная частота работы в герцах	820	-	820
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2006	2004	2010
Код JESD-609	e1	e1	e1
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	6
Завершение	SMD/SMT	-	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	TIN SILVER COPPER	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	TIN SILVER COPPER
Код ТН ВЭД	8541.21.00.95	8541.21.00.75	8541.21.00.95
Максимальная потеря мощности	200mW	-	300mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10	10
Основной номер части	2SD2704	2SD2114	IMX25
Число контактов	3	3	6
Конфигурация элемента	Single	-	Dual
Распад мощности	200mW	-	-
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER	-
Продуктивность полосы частот	35MHz	-	35MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	-
Тип транзистора	NPN	NPN	2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	20V	-	20V
Максимальный ток сбора	300mA	-	300mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	820 @ 4mA 2V	820 @ 10mA 3V	820 @ 4mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	500nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	100mV @ 3mA, 30mA	400mV @ 20mA, 500mA	100mV @ 3mA, 30mA
Частота перехода	35MHz	350MHz	35MHz
Максимальное напряжение разрушения	20V	-	20V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	-	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	25V	-	25V
Прямоходящий ток коллектора	300mA	-	300mA
REACH SVHC	No SVHC	-	-
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Поверхностный монтаж	-	YES	-
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	500mA	-
Код JESD-30	-	R-PDSO-G3	-
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	-
Конфигурация	-	SINGLE	-
Мощность - Макс	-	200mW	-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	-	20V	-
Частота - Переход	-	350MHz	-
Максимальная потеря мощности (абс.)	-	0.3W	-
Максимальное напряжение на выходе	-	0.4 V	-
Направленность	-	-	NPN

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
2SD2114KT146W	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346	Для сравнения
IMX25T110	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SC-74, SOT-457	TRANS 2NPN 20V 0.3A 6SMT	Для сравнения
2SD2114KT146V	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346	Для сравнения