2SD2704KT146 Альтернативные части: 2SD2114KT146W

2SD2704KT146ROHM Semiconductor

  • 2SD2704KT146ROHM Semiconductor
  • 2SD2114KT146WROHM Semiconductor

В наличии: 48000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    6.013736 ₽

    6.04 ₽

  • 10

    5.673338 ₽

    56.73 ₽

  • 100

    5.352198 ₽

    535.16 ₽

  • 500

    5.049245 ₽

    2,524.59 ₽

  • 1000

    4.763448 ₽

    4,763.46 ₽

Цена за единицу: 6.013736 ₽

Итоговая цена: 6.04 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 20V 0.3A SOT23-3
TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346
Срок поставки от производителя
13 Weeks
13 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Silver, Tin
-
Монтаж
Surface Mount
-
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
20V
-
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
820
-
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2004
Код JESD-609
e1
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Завершение
SMD/SMT
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN SILVER COPPER
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
8541.21.00.75
Максимальная потеря мощности
200mW
-
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
Основной номер части
2SD2704
2SD2114
Число контактов
3
3
Конфигурация элемента
Single
-
Распад мощности
200mW
-
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
35MHz
-
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
20V
-
Максимальный ток сбора
300mA
-
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
820 @ 4mA 2V
820 @ 10mA 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30mA
400mV @ 20mA, 500mA
Частота перехода
35MHz
350MHz
Максимальное напряжение разрушения
20V
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
25V
-
Прямоходящий ток коллектора
300mA
-
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Поверхностный монтаж
-
YES
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
500mA
Код JESD-30
-
R-PDSO-G3
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
Конфигурация
-
SINGLE
Мощность - Макс
-
200mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
20V
Частота - Переход
-
350MHz
Максимальная потеря мощности (абс.)
-
0.3W
Максимальное напряжение на выходе
-
0.4 V