2SD2704KT146 Альтернативные части: IMX25T110

2SD2704KT146ROHM Semiconductor

  • 2SD2704KT146ROHM Semiconductor
  • IMX25T110ROHM Semiconductor

В наличии: 48000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    6.013736 ₽

    6.04 ₽

  • 10

    5.673338 ₽

    56.73 ₽

  • 100

    5.352198 ₽

    535.16 ₽

  • 500

    5.049245 ₽

    2,524.59 ₽

  • 1000

    4.763448 ₽

    4,763.46 ₽

Цена за единицу: 6.013736 ₽

Итоговая цена: 6.04 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 20V 0.3A SOT23-3
TRANS 2NPN 20V 0.3A 6SMT
Срок поставки от производителя
13 Weeks
13 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Silver, Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-74, SOT-457
Количество контактов
3
6
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
20V
20V
Количество элементов
1
2
Минимальная частота работы в герцах
820
820
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2010
Код JESD-609
e1
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
6
Завершение
SMD/SMT
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN SILVER COPPER
TIN SILVER COPPER
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
8541.21.00.95
Максимальная потеря мощности
200mW
300mW
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
Основной номер части
2SD2704
IMX25
Число контактов
3
6
Конфигурация элемента
Single
Dual
Распад мощности
200mW
-
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
Продуктивность полосы частот
35MHz
35MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
Тип транзистора
NPN
2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
20V
20V
Максимальный ток сбора
300mA
300mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
820 @ 4mA 2V
820 @ 4mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30mA
100mV @ 3mA, 30mA
Частота перехода
35MHz
35MHz
Максимальное напряжение разрушения
20V
20V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
25V
25V
Прямоходящий ток коллектора
300mA
300mA
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Направленность
-
NPN