2SD1733TLR Альтернативные части: 2SD2318TLV ,2SD2318TLU

2SD1733TLRROHM Semiconductor

В наличии: 60

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
101.136538 ₽
101.10 ₽
10
95.411827 ₽
954.12 ₽
100
90.011154 ₽
9,001.10 ₽
500
84.916181 ₽
42,458.10 ₽
1000
80.109615 ₽
80,109.62 ₽

Цена за единицу: 101.136538 ₽

Итоговая цена: 101.10 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SD1733TLR	и2SD2318TLV	и2SD2318TLU
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS NPN 80V 1A SOT-428	TRANS NPN 60V 3A SOT-428	TRANS NPN 60V 3A SOT-428
Срок поставки от производителя	21 Weeks	29 Weeks	20 Weeks
Покрытие контактов	Copper, Tin	Copper, Tin	Copper, Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	-
Корпус / Кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3
Количество контактов	3	3	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Диэлектрический пробой напряжение	80V	60V	60V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	120	560	560
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ	-
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	1998	1999	1999
Код JESD-609	e2	e2	e2
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Not For New Designs	Not For New Designs	Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2	2
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin/Copper (Sn98Cu2)	Tin/Copper (Sn98Cu2)	TIN COPPER
Ток постоянного напряжения - номинальный	80V	60V	60V
Максимальная потеря мощности	10W	1W	1W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	1A	3A	3A
Частота	100MHz	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10	10
Основной номер части	2SD1733	2SD2318	-
Число контактов	3	3	3
Код JESD-30	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	1W	1W	1W
Применение транзистора	SWITCHING	-	-
Продуктивность полосы частот	100MHz	50MHz	50MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	-
Тип транзистора	NPN	NPN	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	80V	60V	60V
Максимальный ток сбора	1A	3A	3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	180 @ 500mA 3V	560 @ 500mA 4V	-
Ток - отсечка коллектора (макс)	1μA ICBO	100μA ICBO	-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	400mV @ 20mA, 500mA	1V @ 50mA, 2A	-
Частота перехода	100MHz	50MHz	50MHz
Максимальное напряжение разрушения	80V	60V	60V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	120V	80V	80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	6V	6V
Прямоходящий ток коллектора	1A	3A	3A
REACH SVHC	No SVHC	-	-
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Код ТН ВЭД	-	8541.29.00.75	8541.29.00.75
Мощность - Макс	-	15W	-
Максимальная рабочая температура	-	-	150°C
Минимальная температура работы	-	-	-55°C
Квалификационный Статус	-	-	Not Qualified
Направленность	-	-	NPN
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)	-	-	560

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
2SD2318TLU	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-252-3	TRANS NPN 60V 3A SOT-428	Для сравнения
KSH44H11TM	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil	Для сравнения
2SC5103TLQ	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TRANS NPN 60V 5A SOT-428	Для сравнения
2SD2318TLV	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TRANS NPN 60V 3A SOT-428	Для сравнения