2SD1733TLR Альтернативные части: 2SC5103TLQ

2SD1733TLRROHM Semiconductor

В наличии: 60

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
101.136538 ₽
101.10 ₽
10
95.411827 ₽
954.12 ₽
100
90.011154 ₽
9,001.10 ₽
500
84.916181 ₽
42,458.10 ₽
1000
80.109615 ₽
80,109.62 ₽

Цена за единицу: 101.136538 ₽

Итоговая цена: 101.10 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SD1733TLR	и2SC5103TLQ
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS NPN 80V 1A SOT-428	TRANS NPN 60V 5A SOT-428
Срок поставки от производителя	21 Weeks	-
Покрытие контактов	Copper, Tin	Copper, Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	80V	60V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	120	120
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	1998	1997
Код JESD-609	e2	e2
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Not For New Designs	Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin/Copper (Sn98Cu2)	Tin/Copper (Sn98Cu2)
Ток постоянного напряжения - номинальный	80V	60V
Максимальная потеря мощности	10W	1W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	1A	5A
Частота	100MHz	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10
Основной номер части	2SD1733	2SC5103
Число контактов	3	3
Код JESD-30	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	1W	1W
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	100MHz	80MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	80V	60V
Максимальный ток сбора	1A	5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	180 @ 500mA 3V	120 @ 1A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	1μA ICBO	10μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	400mV @ 20mA, 500mA	500mV @ 200mA, 4A
Частота перехода	100MHz	120MHz
Максимальное напряжение разрушения	80V	60V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	120V	100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V
Прямоходящий ток коллектора	1A	5A
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Завершение	-	SMD/SMT
Код ТН ВЭД	-	8541.29.00.75
Сокетная связка	-	COLLECTOR
Частота - Переход	-	120MHz
Время выключения максимальное (toff)	-	1800ns

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
2SD2318TLU	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-252-3	TRANS NPN 60V 3A SOT-428	Для сравнения
KSH44H11TM	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil	Для сравнения
2SC5103TLQ	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TRANS NPN 60V 5A SOT-428	Для сравнения
2SD2318TLV	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TRANS NPN 60V 3A SOT-428	Для сравнения