2SD1733TLR Альтернативные части: KSH44H11TM

2SD1733TLRROHM Semiconductor

  • 2SD1733TLRROHM Semiconductor
  • KSH44H11TMON Semiconductor

В наличии: 60

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    101.136538 ₽

    101.10 ₽

  • 10

    95.411827 ₽

    954.12 ₽

  • 100

    90.011154 ₽

    9,001.10 ₽

  • 500

    84.916181 ₽

    42,458.10 ₽

  • 1000

    80.109615 ₽

    80,109.62 ₽

Цена за единицу: 101.136538 ₽

Итоговая цена: 101.10 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 80V 1A SOT-428
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Срок поставки от производителя
21 Weeks
6 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
80V
80V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
120
60
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
1998
2016
Код JESD-609
e2
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Not For New Designs
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
2
2
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Copper (Sn98Cu2)
Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
80V
80V
Максимальная потеря мощности
10W
1.75W
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
NOT SPECIFIED
Моментальный ток
1A
8A
Частота
100MHz
50MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
NOT SPECIFIED
Основной номер части
2SD1733
KSH44H11
Число контактов
3
-
Код JESD-30
R-PSSO-G2
R-PSSO-G2
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
1W
1.75W
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
100MHz
50MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
80V
80V
Максимальный ток сбора
1A
8A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
180 @ 500mA 3V
40 @ 4A 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
1μA ICBO
10μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 20mA, 500mA
1V @ 400mA, 8A
Частота перехода
100MHz
50MHz
Максимальное напряжение разрушения
80V
80V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
120V
80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Прямоходящий ток коллектора
1A
-
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
Вес
-
260.37mg
Код соответствия REACH
-
not_compliant
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
Код JEDEC-95
-
TO-252AA