2SC5095-R(TE85L,F) Альтернативные части: BFU550WX ,2SC5095-O(TE85L,F)

2SC5095-R(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

  • 2SC5095-R(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
  • BFU550WXNXP USA Inc.
  • 2SC5095-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 4223

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    37.418571 ₽

    37.36 ₽

  • 10

    35.300591 ₽

    353.02 ₽

  • 100

    33.302431 ₽

    3,330.22 ₽

  • 500

    31.417404 ₽

    15,708.65 ₽

  • 1000

    29.639052 ₽

    29,639.01 ₽

Цена за единицу: 37.418571 ₽

Итоговая цена: 37.36 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans Gp Bjt NPN 10V 0.015A 3-PIN Usm T/r
Trans RF BJT NPN 16V 0.08A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT NPN 10V 0.015A 3-Pin USM T/R
Срок поставки от производителя
16 Weeks
13 Weeks
16 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Silver, Tin
-
Silver, Tin
Монтаж
Surface Mount
-
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
10V
-
10V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
50
-
50
Рабочая температура
125°C TJ
-40°C~150°C TJ
125°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Опубликовано
2009
2011
2009
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
-
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Дополнительная Характеристика
LOW NOISE
LOW NOISE
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
-
-
Максимальная потеря мощности
100mW
-
100mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
-
Код соответствия REACH
unknown
-
-
Число контактов
3
3
-
Код JESD-30
R-PDSO-G3
R-PDSO-G3
-
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
-
Конфигурация элемента
Single
-
Single
Мощность - Макс
100mW
450mW
-
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
-
Продуктивность полосы частот
10 GHz
-
10 GHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
10V
-
10V
Максимальный ток сбора
15mA
-
15mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
50 @ 7mA 6V
60 @ 15mA 8V
80 @ 7mA 6V
Увеличение
13dB ~ 7.5dB
18dB
13dB ~ 7dB
Частота перехода
10000MHz
11000MHz
7000MHz
Максимальное напряжение разрушения
10V
-
10V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
20V
-
20V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
1.5V
-
1.5V
Частотная полоса наивысшего режима
ULTRA HIGH FREQUENCY B
L B
-
Сопротивление базы-эмиттора макс
0.85pF
-
-
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)
1.8dB @ 2GHz
0.6dB @ 900MHz
1.8dB @ 2GHz
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Поверхностный монтаж
-
YES
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
50mA
-
Серия
-
Automotive, AEC-Q101
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
NOT SPECIFIED
-
Основной номер части
-
BFU550
-
Нормативная Марка
-
AEC-Q101; IEC-60134
-
Конфигурация
-
SINGLE
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
12V
-
Частота - Переход
-
11GHz
-
Количество контактов
-
-
3
Частота
-
-
10GHz
Распад мощности
-
-
100mW
Корпусировка на излучение
-
-
No