Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2SC5095-R(TE85L,F) Альтернативные части: 2SC5095-O(TE85L,F)
2SC5095-R(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 4223
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
37.418571 ₽
37.36 ₽
10
35.300591 ₽
353.02 ₽
100
33.302431 ₽
3,330.22 ₽
500
31.417404 ₽
15,708.65 ₽
1000
29.639052 ₽
29,639.01 ₽
Цена за единицу: 37.418571 ₽
Итоговая цена: 37.36 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans Gp Bjt NPN 10V 0.015A 3-PIN Usm T/r | Trans GP BJT NPN 10V 0.015A 3-Pin USM T/R |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 16 Weeks |
Покрытие контактов | Copper, Silver, Tin | Silver, Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 10V | 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 50 | 50 |
Рабочая температура | 125°C TJ | 125°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2009 | 2009 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Дополнительная Характеристика | LOW NOISE | - |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | - |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 100mW |
Положение терминала | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | - |
Код соответствия REACH | unknown | - |
Число контактов | 3 | - |
Код JESD-30 | R-PDSO-G3 | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Мощность - Макс | 100mW | - |
Применение транзистора | AMPLIFIER | - |
Продуктивность полосы частот | 10 GHz | 10 GHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 10V | 10V |
Максимальный ток сбора | 15mA | 15mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 50 @ 7mA 6V | 80 @ 7mA 6V |
Увеличение | 13dB ~ 7.5dB | 13dB ~ 7dB |
Частота перехода | 10000MHz | 7000MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 10V | 10V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 20V | 20V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1.5V | 1.5V |
Частотная полоса наивысшего режима | ULTRA HIGH FREQUENCY B | - |
Сопротивление базы-эмиттора макс | 0.85pF | - |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | 1.8dB @ 2GHz | 1.8dB @ 2GHz |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Количество контактов | - | 3 |
Частота | - | 10GHz |
Распад мощности | - | 100mW |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFU550WX | NXP USA Inc. | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SC-70, SOT-323 | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A Automotive 3-Pin SC-70 T/R | Для сравнения |
 | 2SC5095-O(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SC-70, SOT-323 | Trans GP BJT NPN 10V 0.015A 3-Pin USM T/R | Для сравнения |
 | 2SC5277A-2-TL-E | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SC-75, SOT-416 | Trans GP BJT NPN 10V 0.03A 3-Pin(2+Tab) SMCP T/R | Для сравнения |
 | DSC5G0200L | Panasonic Electronic Components | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SC-85 | Bipolar Transistors - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm | Для сравнения |