Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2SC5095-R(TE85L,F) Альтернативные части: BFU550WX
2SC5095-R(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 4223
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
37.418571 ₽
37.36 ₽
10
35.300591 ₽
353.02 ₽
100
33.302431 ₽
3,330.22 ₽
500
31.417404 ₽
15,708.65 ₽
1000
29.639052 ₽
29,639.01 ₽
Цена за единицу: 37.418571 ₽
Итоговая цена: 37.36 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans Gp Bjt NPN 10V 0.015A 3-PIN Usm T/r | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 13 Weeks |
Покрытие контактов | Copper, Silver, Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 10V | - |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 50 | - |
Рабочая температура | 125°C TJ | -40°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2011 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | - |
Дополнительная Характеристика | LOW NOISE | LOW NOISE |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | - |
Максимальная потеря мощности | 100mW | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Код соответствия REACH | unknown | - |
Число контактов | 3 | 3 |
Код JESD-30 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Конфигурация элемента | Single | - |
Мощность - Макс | 100mW | 450mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | 10 GHz | - |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 10V | - |
Максимальный ток сбора | 15mA | - |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 50 @ 7mA 6V | 60 @ 15mA 8V |
Увеличение | 13dB ~ 7.5dB | 18dB |
Частота перехода | 10000MHz | 11000MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 10V | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 20V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1.5V | - |
Частотная полоса наивысшего режима | ULTRA HIGH FREQUENCY B | L B |
Сопротивление базы-эмиттора макс | 0.85pF | - |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | 1.8dB @ 2GHz | 0.6dB @ 900MHz |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Поверхностный монтаж | - | YES |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | 50mA |
Серия | - | Automotive, AEC-Q101 |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | - | BFU550 |
Нормативная Марка | - | AEC-Q101; IEC-60134 |
Конфигурация | - | SINGLE |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | - | 12V |
Частота - Переход | - | 11GHz |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFU550WX | NXP USA Inc. | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SC-70, SOT-323 | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A Automotive 3-Pin SC-70 T/R | Для сравнения |
 | 2SC5095-O(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SC-70, SOT-323 | Trans GP BJT NPN 10V 0.015A 3-Pin USM T/R | Для сравнения |
 | 2SC5277A-2-TL-E | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SC-75, SOT-416 | Trans GP BJT NPN 10V 0.03A 3-Pin(2+Tab) SMCP T/R | Для сравнения |
 | DSC5G0200L | Panasonic Electronic Components | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SC-85 | Bipolar Transistors - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm | Для сравнения |