2SC5095-R(TE85L,F) Альтернативные части: 2SC5095-O(TE85L,F) ,2SC5277A-2-TL-E

2SC5095-R(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

  • 2SC5095-R(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
  • 2SC5095-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
  • 2SC5277A-2-TL-EON Semiconductor

В наличии: 4223

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    37.418571 ₽

    37.36 ₽

  • 10

    35.300591 ₽

    353.02 ₽

  • 100

    33.302431 ₽

    3,330.22 ₽

  • 500

    31.417404 ₽

    15,708.65 ₽

  • 1000

    29.639052 ₽

    29,639.01 ₽

Цена за единицу: 37.418571 ₽

Итоговая цена: 37.36 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans Gp Bjt NPN 10V 0.015A 3-PIN Usm T/r
Trans GP BJT NPN 10V 0.015A 3-Pin USM T/R
Trans GP BJT NPN 10V 0.03A 3-Pin(2+Tab) SMCP T/R
Срок поставки от производителя
16 Weeks
16 Weeks
-
Покрытие контактов
Copper, Silver, Tin
Silver, Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
SC-75, SOT-416
Материал элемента транзистора
SILICON
-
-
Диэлектрический пробой напряжение
10V
10V
10V
Количество элементов
1
1
-
Минимальная частота работы в герцах
50
50
60
Рабочая температура
125°C TJ
125°C TJ
-
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
2009
2013
Состояние изделия
Active
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Дополнительная Характеристика
LOW NOISE
-
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
-
-
Максимальная потеря мощности
100mW
100mW
100mW
Положение терминала
DUAL
-
-
Форма вывода
GULL WING
-
-
Код соответствия REACH
unknown
-
-
Число контактов
3
-
3
Код JESD-30
R-PDSO-G3
-
-
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Мощность - Макс
100mW
-
-
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
-
Продуктивность полосы частот
10 GHz
10 GHz
-
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
10V
10V
10V
Максимальный ток сбора
15mA
15mA
30mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
50 @ 7mA 6V
80 @ 7mA 6V
90 @ 10mA 5V
Увеличение
13dB ~ 7.5dB
13dB ~ 7dB
10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz
Частота перехода
10000MHz
7000MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
10V
10V
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
20V
20V
20V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
1.5V
1.5V
1.5V
Частотная полоса наивысшего режима
ULTRA HIGH FREQUENCY B
-
-
Сопротивление базы-эмиттора макс
0.85pF
-
-
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)
1.8dB @ 2GHz
1.8dB @ 2GHz
1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Количество контактов
-
3
3
Частота
-
10GHz
-
Распад мощности
-
100mW
-
Корпусировка на излучение
-
No
-
Состояние жизненного цикла
-
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Код JESD-609
-
-
e6
Безоловая кодировка
-
-
yes
Конечная обработка контакта
-
-
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Максимальная рабочая температура
-
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-
-55°C
Максимальная частота
-
-
7GHz
Частота - Переход
-
-
8GHz
Высота
-
-
750μm
Длина
-
-
1.6mm
Ширина
-
-
800μm
Без свинца
-
-
Lead Free