2SC4213BTE85LF Альтернативные части: BC848BW-7-F ,MMSTA13-7-F

2SC4213BTE85LFToshiba Semiconductor and Storage

  • 2SC4213BTE85LFToshiba Semiconductor and Storage
  • BC848BW-7-FDiodes Incorporated
  • MMSTA13-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 19

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    17.740522 ₽

    17.72 ₽

  • 10

    16.736346 ₽

    167.31 ₽

  • 100

    15.788997 ₽

    1,578.85 ₽

  • 500

    14.895288 ₽

    7,447.66 ₽

  • 1000

    14.052157 ₽

    14,052.20 ₽

Цена за единицу: 17.740522 ₽

Итоговая цена: 17.72 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 20V 0.3A USM
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
TRANS NPN DARL 30V 0.3A SC70-3
Срок поставки от производителя
16 Weeks
15 Weeks
13 Weeks
Покрытие контактов
Silver, Tin
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
20V
30V
30V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
200
200
5000
Рабочая температура
125°C TJ
-65°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
2007
2007
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
100mW
200mW
200mW
Код соответствия REACH
unknown
-
-
Частота
30MHz
300MHz
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
100mW
200mW
-
Продуктивность полосы частот
30MHz
300MHz
-
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
20V
30V
30V
Максимальный ток сбора
300mA
100mA
300mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
350 @ 4mA 2V
200 @ 2mA 5V
10000 @ 100mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
20nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30A
600mV @ 5mA, 100mA
1.5V @ 100μA, 100mA
Максимальное напряжение разрушения
20V
-
30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
30V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
25V
5V
10V
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Вес
-
6.010099mg
6.010099mg
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Код JESD-609
-
e3
e3
Безоловая кодировка
-
yes
yes
Количество выводов
-
3
3
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
40
Число контактов
-
3
3
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Применение транзистора
-
SWITCHING
SWITCHING
Частота перехода
-
300MHz
125MHz
Высота
-
1mm
1mm
Длина
-
2.2mm
2.2mm
Ширина
-
1.35mm
1.35mm
REACH SVHC
-
No SVHC
No SVHC
Конечная обработка контакта
-
-
Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-
30V
Моментальный ток
-
-
300mA
Основной номер части
-
-
MMSTA13
Направленность
-
-
NPN
Частота - Переход
-
-
125MHz
Корпусировка на излучение
-
-
No
Без свинца
-
-
Lead Free