2SC4213BTE85LF Альтернативные части: 2SC4215-Y(TE85L,F)

2SC4213BTE85LFToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 19

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
17.740522 ₽
17.72 ₽
10
16.736346 ₽
167.31 ₽
100
15.788997 ₽
1,578.85 ₽
500
14.895288 ₽
7,447.66 ₽
1000
14.052157 ₽
14,052.20 ₽

Цена за единицу: 17.740522 ₽

Итоговая цена: 17.72 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SC4213BTE85LF	и2SC4215-Y(TE85L,F)
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	TRANS NPN 20V 0.3A USM	Trans GP BJT NPN 30V 0.02A 3-Pin USM T/R
Срок поставки от производителя	16 Weeks	16 Weeks
Покрытие контактов	Silver, Tin	Silver, Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323
Количество контактов	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	20V	30V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	200	40
Рабочая температура	125°C TJ	125°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2009	2009
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	100mW	100mW
Код соответствия REACH	unknown	-
Частота	30MHz	550MHz
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	100mW	100mW
Продуктивность полосы частот	30MHz	550MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	20V	30V
Максимальный ток сбора	300mA	20mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	350 @ 4mA 2V	100 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	100mV @ 3mA, 30A	-
Максимальное напряжение разрушения	20V	30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	25V	4V
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Увеличение	-	17dB ~ 23dB
Частота перехода	-	260MHz
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)	-	2dB ~ 5dB @ 100MHz
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC847BW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323	Для сравнения
2SC4215-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ	SC-70, SOT-323	Trans GP BJT NPN 30V 0.02A 3-Pin USM T/R	Для сравнения
BC848BW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения
MMSTA13-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN DARL 30V 0.3A SC70-3	Для сравнения