Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2SC4213BTE85LF Альтернативные части: BC848BW-7-F
2SC4213BTE85LFToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 19
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
17.740522 ₽
17.72 ₽
10
16.736346 ₽
167.31 ₽
100
15.788997 ₽
1,578.85 ₽
500
14.895288 ₽
7,447.66 ₽
1000
14.052157 ₽
14,052.20 ₽
Цена за единицу: 17.740522 ₽
Итоговая цена: 17.72 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN 20V 0.3A USM | Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 15 Weeks |
Покрытие контактов | Silver, Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 20V | 30V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 200 | 200 |
Рабочая температура | 125°C TJ | -65°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2007 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 200mW |
Код соответствия REACH | unknown | - |
Частота | 30MHz | 300MHz |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 100mW | 200mW |
Продуктивность полосы частот | 30MHz | 300MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 20V | 30V |
Максимальный ток сбора | 300mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 350 @ 4mA 2V | 200 @ 2mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 20nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 100mV @ 3mA, 30A | 600mV @ 5mA, 100mA |
Максимальное напряжение разрушения | 20V | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 25V | 5V |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Вес | - | 6.010099mg |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Код JESD-609 | - | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 3 |
Положение терминала | - | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 |
Число контактов | - | 3 |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Частота перехода | - | 300MHz |
Высота | - | 1mm |
Длина | - | 2.2mm |
Ширина | - | 1.35mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC847BW-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323 | Для сравнения |
 | 2SC4215-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SC-70, SOT-323 | Trans GP BJT NPN 30V 0.02A 3-Pin USM T/R | Для сравнения |
| BC848BW-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR | Для сравнения |
| MMSTA13-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | TRANS NPN DARL 30V 0.3A SC70-3 | Для сравнения |