2SC4213BTE85LF Альтернативные части: BC847BW-7-F ,2SC4215-Y(TE85L,F)

2SC4213BTE85LFToshiba Semiconductor and Storage

  • 2SC4213BTE85LFToshiba Semiconductor and Storage
  • BC847BW-7-FDiodes Incorporated
  • 2SC4215-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 19

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    17.740522 ₽

    17.72 ₽

  • 10

    16.736346 ₽

    167.31 ₽

  • 100

    15.788997 ₽

    1,578.85 ₽

  • 500

    14.895288 ₽

    7,447.66 ₽

  • 1000

    14.052157 ₽

    14,052.20 ₽

Цена за единицу: 17.740522 ₽

Итоговая цена: 17.72 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 20V 0.3A USM
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323
Trans GP BJT NPN 30V 0.02A 3-Pin USM T/R
Срок поставки от производителя
16 Weeks
19 Weeks
16 Weeks
Покрытие контактов
Silver, Tin
Tin
Silver, Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
20V
45V
30V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
200
200
40
Рабочая температура
125°C TJ
-65°C~150°C TJ
125°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Опубликовано
2009
2007
2009
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
100mW
200mW
100mW
Код соответствия REACH
unknown
-
-
Частота
30MHz
300MHz
550MHz
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
100mW
200mW
100mW
Продуктивность полосы частот
30MHz
300MHz
550MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
20V
45V
30V
Максимальный ток сбора
300mA
100mA
20mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
350 @ 4mA 2V
200 @ 2mA 5V
100 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
20nA ICBO
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30A
600mV @ 5mA, 100mA
-
Максимальное напряжение разрушения
20V
45V
30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
50V
40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
25V
6V
4V
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Вес
-
6.010099mg
-
Материал элемента транзистора
-
SILICON
-
Код JESD-609
-
e3
-
Безоловая кодировка
-
yes
-
Количество выводов
-
3
-
Завершение
-
SMD/SMT
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
45V
-
Положение терминала
-
DUAL
-
Форма вывода
-
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
-
Моментальный ток
-
100mA
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
-
Основной номер части
-
BC847
-
Число контактов
-
3
-
Применение транзистора
-
SWITCHING
-
Частота перехода
-
300MHz
260MHz
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
-
Высота
-
1.1mm
-
Длина
-
2.2mm
-
Ширина
-
1.35mm
-
REACH SVHC
-
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
-
No
No
Без свинца
-
Lead Free
-
Увеличение
-
-
17dB ~ 23dB
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)
-
-
2dB ~ 5dB @ 100MHz