2SC4213BTE85LF Альтернативные части: 2SC4215-Y(TE85L,F) ,BC848BW-7-F

2SC4213BTE85LFToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 19

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
17.740522 ₽
17.72 ₽
10
16.736346 ₽
167.31 ₽
100
15.788997 ₽
1,578.85 ₽
500
14.895288 ₽
7,447.66 ₽
1000
14.052157 ₽
14,052.20 ₽

Цена за единицу: 17.740522 ₽

Итоговая цена: 17.72 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SC4213BTE85LF	и2SC4215-Y(TE85L,F)	иBC848BW-7-F
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS NPN 20V 0.3A USM	Trans GP BJT NPN 30V 0.02A 3-Pin USM T/R	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Срок поставки от производителя	16 Weeks	16 Weeks	15 Weeks
Покрытие контактов	Silver, Tin	Silver, Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323
Количество контактов	3	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	20V	30V	30V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	200	40	200
Рабочая температура	125°C TJ	125°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2009	2009	2007
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	100mW	100mW	200mW
Код соответствия REACH	unknown	-	-
Частота	30MHz	550MHz	300MHz
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	100mW	100mW	200mW
Продуктивность полосы частот	30MHz	550MHz	300MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	20V	30V	30V
Максимальный ток сбора	300mA	20mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	350 @ 4mA 2V	100 @ 1mA 6V	200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	-	20nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	100mV @ 3mA, 30A	-	600mV @ 5mA, 100mA
Максимальное напряжение разрушения	20V	30V	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	40V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	25V	4V	5V
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Увеличение	-	17dB ~ 23dB	-
Частота перехода	-	260MHz	300MHz
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)	-	2dB ~ 5dB @ 100MHz	-
Корпусировка на излучение	-	No	-
Вес	-	-	6.010099mg
Материал элемента транзистора	-	-	SILICON
Код JESD-609	-	-	e3
Безоловая кодировка	-	-	yes
Количество выводов	-	-	3
Положение терминала	-	-	DUAL
Форма вывода	-	-	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	-	40
Число контактов	-	-	3
Квалификационный Статус	-	-	Not Qualified
Применение транзистора	-	-	SWITCHING
Высота	-	-	1mm
Длина	-	-	2.2mm
Ширина	-	-	1.35mm
REACH SVHC	-	-	No SVHC

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC847BW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323	Для сравнения
2SC4215-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ	SC-70, SOT-323	Trans GP BJT NPN 30V 0.02A 3-Pin USM T/R	Для сравнения
BC848BW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения
MMSTA13-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN DARL 30V 0.3A SC70-3	Для сравнения