2SC4116-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 5
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
11.939835 ₽
11.95 ₽
10
11.263997 ₽
112.64 ₽
100
10.626415 ₽
1,062.64 ₽
500
10.024918 ₽
5,012.50 ₽
1000
9.457473 ₽
9,457.42 ₽
Цена за единицу: 11.939835 ₽
Итоговая цена: 11.95 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin USM Embossed T/R | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 6 Weeks | 12 Weeks |
Покрытие контактов | Silver, Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Вес | 6.208546mg | 30mg | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Минимальная частота работы в герцах | 70 | 70 | 70 |
Рабочая температура | 125°C TJ | 150°C TJ | 125°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 2004 | 2011 |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 200mW | 150mW |
Код соответствия REACH | unknown | - | unknown |
Продуктивность полосы частот | 80MHz | 300MHz | 80MHz |
Тип транзистора | NPN | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 150mA | 150mA | 150mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 2mA 6V | 200 @ 1mA 6V | 120 @ 2mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | 300mV @ 10mA, 100mA | 250mV @ 10mA, 100mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 60V | 60V | 60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V | 5V |
Прямоходящий ток коллектора | 150mA | - | 150mA |
Высота | 900μm | 900μm | - |
Длина | 2mm | 2mm | - |
Ширина | 1.25mm | 1.25mm | - |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) | - |
Количество контактов | - | 3 | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Количество элементов | - | 1 | 1 |
Код JESD-609 | - | e3 | - |
Количество выводов | - | 3 | 3 |
Код ECCN | - | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 50V | - |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Моментальный ток | - | 150mA | - |
Частота | - | 300MHz | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | - | FJX945 | 2SC2712 |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Конфигурация элемента | - | Single | Single |
Распад мощности | - | 200mW | - |
Применение транзистора | - | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Полярность/Тип канала | - | NPN | NPN |
Частота перехода | - | 300MHz | 80MHz |
Без свинца | - | Lead Free | - |
Дополнительная Характеристика | - | - | LOW NOISE |
Код JESD-30 | - | - | R-PDSO-G3 |