2SC4116-Y,LF Альтернативные части: FJX945GTF ,2SC2712-Y,LF

2SC4116-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage

  • 2SC4116-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage
  • FJX945GTFON Semiconductor
  • 2SC2712-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 5

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    11.939835 ₽

    11.95 ₽

  • 10

    11.263997 ₽

    112.64 ₽

  • 100

    10.626415 ₽

    1,062.64 ₽

  • 500

    10.024918 ₽

    5,012.50 ₽

  • 1000

    9.457473 ₽

    9,457.42 ₽

Цена за единицу: 11.939835 ₽

Итоговая цена: 11.95 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin USM Embossed T/R
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Срок поставки от производителя
12 Weeks
6 Weeks
12 Weeks
Покрытие контактов
Silver, Tin
-
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Вес
6.208546mg
30mg
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Минимальная частота работы в герцах
70
70
70
Рабочая температура
125°C TJ
150°C TJ
125°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2011
2004
2011
Безоловая кодировка
yes
yes
-
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности
100mW
200mW
150mW
Код соответствия REACH
unknown
-
unknown
Продуктивность полосы частот
80MHz
300MHz
80MHz
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
50V
Максимальный ток сбора
150mA
150mA
150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 2mA 6V
200 @ 1mA 6V
120 @ 2mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
300mV @ 10mA, 100mA
250mV @ 10mA, 100mA
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
60V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
5V
Прямоходящий ток коллектора
150mA
-
150mA
Высота
900μm
900μm
-
Длина
2mm
2mm
-
Ширина
1.25mm
1.25mm
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
-
Количество контактов
-
3
-
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Количество элементов
-
1
1
Код JESD-609
-
e3
-
Количество выводов
-
3
3
Код ECCN
-
EAR99
-
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
50V
-
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Моментальный ток
-
150mA
-
Частота
-
300MHz
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Основной номер части
-
FJX945
2SC2712
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Конфигурация элемента
-
Single
Single
Распад мощности
-
200mW
-
Применение транзистора
-
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Полярность/Тип канала
-
NPN
NPN
Частота перехода
-
300MHz
80MHz
Без свинца
-
Lead Free
-
Дополнительная Характеристика
-
-
LOW NOISE
Код JESD-30
-
-
R-PDSO-G3