Все продукты

Войти
ПроизводителиЗапрос котировок Блогисвязаться с намикомпании AKCEL

Место отправки: Китай

+852-8177 7669
Главная /Каталог товаров /2SC4116-Y,LF Против 2SC4116-GR,LF /

2SC4116-Y,LF Альтернативные части: 2SC4116-GR,LF

2SC4116-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage

  • 2SC4116-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage
  • 2SC4116-GR,LFToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 5

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    11.939835 ₽

    11.95 ₽

  • 10

    11.263997 ₽

    112.64 ₽

  • 100

    10.626415 ₽

    1,062.64 ₽

  • 500

    10.024918 ₽

    5,012.50 ₽

  • 1000

    9.457473 ₽

    9,457.42 ₽

Цена за единицу: 11.939835 ₽

Итоговая цена: 11.95 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
и2SC4116-Y,LF2SC4116-Y,LF
и2SC4116-GR,LF2SC4116-GR,LF
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin USM Embossed T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin USM Embossed T/R
Срок поставки от производителя
12 Weeks
12 Weeks
Покрытие контактов
Silver, Tin
Silver, Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Вес
6.208546mg
6.208546mg
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Минимальная частота работы в герцах
70
70
Рабочая температура
125°C TJ
125°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2011
2015
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности
100mW
100mW
Код соответствия REACH
unknown
unknown
Продуктивность полосы частот
80MHz
80MHz
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
Максимальный ток сбора
150mA
150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 2mA 6V
70 @ 2mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
250mV @ 10mA, 100mA
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Прямоходящий ток коллектора
150mA
150mA
Высота
900μm
900μm
Длина
2mm
2mm
Ширина
1.25mm
1.25mm
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Основной номер части
-
2SC4116

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

НаименованиеАртикулПроизводительКатегорияУпаковкаОписаниеДля сравнения
2SC4116-GR,LF2SC4116-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageТранзисторы - Бипланарные (BJT) - ОдиночныеSC-70, SOT-323Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin USM Embossed T/R Для сравнения
FJX945GTFFJX945GTFON SemiconductorТранзисторы - Бипланарные (BJT) - ОдиночныеSC-70, SOT-323Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor Для сравнения
2SC2712-Y,LF2SC2712-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageТранзисторы - Бипланарные (BJT) - ОдиночныеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI Для сравнения
(0 шт.)

Он пуст.