Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2SC4116-Y,LF Альтернативные части: 2SC2712-Y,LF
2SC4116-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 5
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
11.939835 ₽
11.95 ₽
10
11.263997 ₽
112.64 ₽
100
10.626415 ₽
1,062.64 ₽
500
10.024918 ₽
5,012.50 ₽
1000
9.457473 ₽
9,457.42 ₽
Цена за единицу: 11.939835 ₽
Итоговая цена: 11.95 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin USM Embossed T/R | TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks |
Покрытие контактов | Silver, Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Вес | 6.208546mg | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Минимальная частота работы в герцах | 70 | 70 |
Рабочая температура | 125°C TJ | 125°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 2011 |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 150mW |
Код соответствия REACH | unknown | unknown |
Продуктивность полосы частот | 80MHz | 80MHz |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 150mA | 150mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 2mA 6V | 120 @ 2mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | 250mV @ 10mA, 100mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 60V | 60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V |
Прямоходящий ток коллектора | 150mA | 150mA |
Высота | 900μm | - |
Длина | 2mm | - |
Ширина | 1.25mm | - |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 1 |
Количество выводов | - | 3 |
Дополнительная Характеристика | - | LOW NOISE |
Положение терминала | - | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | - | 2SC2712 |
Код JESD-30 | - | R-PDSO-G3 |
Конфигурация элемента | - | Single |
Применение транзистора | - | AMPLIFIER |
Полярность/Тип канала | - | NPN |
Частота перехода | - | 80MHz |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SC4116-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin USM Embossed T/R | Для сравнения |
 | FJX945GTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | Для сравнения |
 | 2SC2712-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI | Для сравнения |