IGBT, биполярный транзистор с изолированным затвором, представляет собой составное полностью управляемое напряжением силовое полупроводниковое устройство, состоящее из BJT (биполярного транзистора) и IGFET (полевой транзистор с изолированным затвором). Он обладает преимуществами как высокого входного сопротивления MOSFET, так и низкого падения напряжения при включении GTR.

​Полное название FinFET - Полевой транзистор Fin. Это новый комплементарный металлоксидный полупроводниковый транзистор. Название FinFET основано на сходстве формы транзистора и ребра.

Транзистор - это какое то полупроводниковое устройство, которое контролирует ток. Его функция заключается в усилении слабого сигнала в электрический сигнал с большим значением амплитуды, и он также используется в качестве бесконтактного переключателя.